多晶硅薄膜及其电池制备的研究
| 第一章 绪论 | 第1-23页 |
| ·太阳电池的发展历史及现状 | 第8-10页 |
| ·太阳电池的原理 | 第10-16页 |
| ·理想PN结的伏安特性 | 第10-11页 |
| ·光在半导体中的吸收过程 | 第11-12页 |
| ·硅太阳电池的基本结构与工作原理 | 第12-13页 |
| ·太阳电池的性能参数 | 第13-16页 |
| ·多晶硅薄膜电池的研究进展 | 第16-21页 |
| ·低温路线 | 第17-18页 |
| ·高温路线 | 第18-21页 |
| ·开题思想及本文的主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 快速热化学气相沉积制备多晶硅薄膜 | 第23-38页 |
| ·陶瓷衬底的选择 | 第23-26页 |
| ·RTCVD方法简介 | 第26-29页 |
| ·RTCVD的基本原理 | 第26-28页 |
| ·RTVCVD的试验设备 | 第28-29页 |
| ·陶瓷衬底上多晶硅薄膜的制备 | 第29-35页 |
| ·衬底处理 | 第29-30页 |
| ·RTCVD沉积工艺研究 | 第30-35页 |
| ·外延多晶硅活性层 | 第35-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 第三章 多晶硅薄膜区熔再结晶工艺研究 | 第38-46页 |
| ·区熔再结晶设备 | 第38-39页 |
| ·区熔再结晶原理 | 第39-41页 |
| ·多晶硅薄膜区熔再结晶前后的性能分析 | 第41-45页 |
| ·区熔后的表面形貌 | 第41-43页 |
| ·X射线衍射谱(XRD)分析 | 第43-44页 |
| ·电学性能分析 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第四章 多晶硅薄膜太阳电池制备 | 第46-56页 |
| ·阻挡层的制备 | 第47-49页 |
| ·阻挡层的选择 | 第47-48页 |
| ·阻挡层的制备 | 第48-49页 |
| ·扩散制结 | 第49-50页 |
| ·电极制作 | 第50-54页 |
| ·电极结构的选择 | 第50-51页 |
| ·电极的制备 | 第51-54页 |
| ·电池性能测试及结果分析 | 第54-56页 |
| 第五章 多晶硅薄膜太阳电池的理论模拟 | 第56-61页 |
| ·多晶硅薄膜太阳电池的理论效率 | 第56-57页 |
| ·基区厚度和少子扩散长度的影响 | 第57-59页 |
| ·漏电流的影响 | 第59-60页 |
| ·结深的影响 | 第60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 第六章 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 发表论文 | 第68页 |
