| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-23页 |
| 第1章 绪论 | 第23-41页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·硅基螺旋电感的技术基础 | 第23-27页 |
| ·MEMS技术 | 第24-25页 |
| ·牺牲层技术 | 第25-26页 |
| ·Self-Assembly技术 | 第26-27页 |
| ·SOI技术 | 第27页 |
| ·硅基螺旋电感研究现状及发展趋势 | 第27-36页 |
| ·硅基螺旋电感的形状 | 第27-28页 |
| ·硅基螺旋电感的种类及研究现状 | 第28-36页 |
| ·硅基螺旋电感的应用 | 第36-38页 |
| ·应用于滤波电路 | 第36页 |
| ·应用于压控振荡电路 | 第36-37页 |
| ·应用于低噪声放大器(LNA) | 第37-38页 |
| ·本课题的意义和主要研究工作 | 第38-41页 |
| 第2章 硅基螺旋电感的基本结构、理论模型 | 第41-56页 |
| ·硅基螺旋电感的基本结构及理论模型 | 第41-42页 |
| ·硅基螺旋电感理论公式 | 第42-48页 |
| ·Greenhouse公式 | 第43-47页 |
| ·三种闭合式的电感公式 | 第47-48页 |
| ·硅基螺旋电感Q值理论公式 | 第48-55页 |
| ·Q值定义 | 第48-51页 |
| ·硅基螺旋电感的Q值 | 第51-52页 |
| ·硅基螺旋电感的高频寄生效应 | 第52-53页 |
| ·硅基螺旋电感的自谐振 | 第53-54页 |
| ·硅基螺旋电感Q值的优化 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第3章 硅基螺旋电感的计算机模拟设计 | 第56-75页 |
| ·IntelliSuite结构体系与硅基螺旋电感工艺模拟 | 第56-62页 |
| ·IntelliSuite软件介绍 | 第56-58页 |
| ·硅基螺旋电感工艺模拟 | 第58-62页 |
| ·Ansys有限元模拟硅基电感的特性参数 | 第62-74页 |
| ·Ansys电磁学原理 | 第62-65页 |
| ·Ansys软件介绍 | 第65-67页 |
| ·磁场分析 | 第67-69页 |
| ·模拟的结果 | 第69-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| 第4章 硅基螺旋电感的工艺设计及制作方法 | 第75-92页 |
| ·硅基螺旋电感的主要工艺原理 | 第75-83页 |
| ·氧化 | 第75-76页 |
| ·双面光刻 | 第76页 |
| ·各向异性腐蚀 | 第76-79页 |
| ·硅杯设计 | 第79-80页 |
| ·Al_2O_3的钝化技术 | 第80-83页 |
| ·硅基螺旋电感制作工艺 | 第83-91页 |
| ·实验一(浓硼扩散区作为内引线) | 第83-87页 |
| ·实验二(浓硼扩散区表面蒸铝形成欧姆接触电极) | 第87-90页 |
| ·实验三(浓硼扩散区表面蒸金形成欧姆接触电极) | 第90-91页 |
| ·小结 | 第91-92页 |
| 第5章 硅基螺旋电感的实验结果与讨论 | 第92-101页 |
| ·参数测量装置 | 第92-93页 |
| ·方块电阻的测量装置 | 第92页 |
| ·线圈产生磁场的测量装置 | 第92-93页 |
| ·测量结果与讨论 | 第93-99页 |
| ·Al_2O_3和SiO_2作为绝缘膜和掩蔽膜 | 第93-94页 |
| ·浓硼扩散区表面蒸镀金属形成欧姆接触电极作为电感的内引线 | 第94-95页 |
| ·磁感应强度的讨论 | 第95-96页 |
| ·电感值的讨论 | 第96-97页 |
| ·品质因数的讨论 | 第97-99页 |
| ·小结 | 第99-101页 |
| 结论 | 第101-102页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-110页 |
| 附录 | 第110-115页 |
| 独创性声明 | 第115页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第115页 |