| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-48页 |
| ·半导体纳米材料及性质简介 | 第10-13页 |
| ·纳米半导体Ti02光催化简介 | 第13-14页 |
| ·半导体TiO_2光催化基本原理 | 第14-20页 |
| ·TiO_2光催化反应的影响因素 | 第20-25页 |
| ·提高TiO_2光催化效率的途径 | 第25-30页 |
| ·负载型及TiO_2薄膜的制备方法 | 第30-33页 |
| ·实现TiO_2可见光活性的方法 | 第33-43页 |
| ·TiO_2光催化剂在环境保护方面的应用 | 第43-46页 |
| ·课题的提出 | 第46-48页 |
| 第二章 TiO 2 溶胶及薄膜的制备和表征方法 | 第48-57页 |
| ·实验所用原料 | 第48页 |
| ·过氧钛酸（PTA）溶胶的制备 | 第48-49页 |
| ·高压釜处理（AS）溶胶的制备 | 第49-50页 |
| ·回流（RS）溶胶的制备 | 第50页 |
| ·TiO_2薄膜的制备 | 第50-51页 |
| ·掺杂TiO_2薄膜的制备 | 第51-52页 |
| ·InV04-TiO_2复合薄膜的制备 | 第52页 |
| ·分析方法与测试 | 第52-54页 |
| ·光催化实验 | 第54-57页 |
| 第三章 PTA溶胶制备TiO_2薄膜及其光催化性能 | 第57-83页 |
| ·前言 | 第57页 |
| ·PTA 溶胶的性质 | 第57-59页 |
| ·PTA 溶胶制备过程中的影响因素 | 第59-63页 |
| ·PTA 溶胶的表征 | 第63-66页 |
| ·PTA 溶胶形成的反应机理 | 第66-69页 |
| ·PTA溶胶制备TiO_2薄膜的表征 | 第69-78页 |
| ·TiO_2薄膜的光催化性能 | 第78-83页 |
| 第四章 AS溶胶制备TiO_2薄膜及其光催化活性研究 | 第83-109页 |
| ·前言 | 第83页 |
| ·AS 溶胶的性质 | 第83-85页 |
| ·AS 溶胶的红外光谱 | 第85-86页 |
| ·AS溶胶的XRD分析 | 第86-87页 |
| ·AS 溶胶的TG-DTA 分析 | 第87-89页 |
| ·AS 溶胶中锐钛矿晶粒形貌 | 第89-90页 |
| ·AS 溶胶的形成机理 | 第90-99页 |
| ·AS溶胶制备TiO_2薄膜的表征 | 第99-105页 |
| ·AS溶胶制备TiO_2薄膜的光催化活性 | 第105-109页 |
| 第五章 RS溶胶制备TiO_2薄膜及其光催化性能 | 第109-133页 |
| ·前言 | 第109页 |
| ·RS 溶胶的性质 | 第109-111页 |
| ·RS 溶胶的红外光谱分析 | 第111-112页 |
| ·RS 溶胶的XRD 分析 | 第112-113页 |
| ·RS 溶胶的TG-DTA 分析 | 第113-115页 |
| ·RS溶胶中TiO_2晶粒的形貌 | 第115-116页 |
| ·TiO_2薄膜的低温制备 | 第116-125页 |
| ·热处理对RS溶胶前驱体制备TiO_2薄膜的影响 | 第125-133页 |
| 第六章 金属修饰TiO_2薄膜的表征及其光催化活性 | 第133-158页 |
| ·前言 | 第133页 |
| ·金属离子掺杂种类及含量 | 第133-134页 |
| ·Fe-TiO_2 和W-TiO_2薄膜的表征及可见光催化性能 | 第134-145页 |
| ·贵金属修饰M/TiO_2薄膜的表征及光催化性能 | 第145-158页 |
| 第七章 新型InV04-TiO_2复合薄膜的表征及其可见光活性研究 | 第158-177页 |
| ·前言 | 第158-159页 |
| ·InVO_4-TiO_2复合薄膜的表征与可见光催化性能 | 第159-167页 |
| ·贵金属修饰M/InVO_4-TiO_2薄膜的表征与可见光催化性能 | 第167-177页 |
| 第八章 结论 | 第177-180页 |
| 参考文献 | 第180-200页 |
| 攻读博士期间发表论文和参加科研情况说明 | 第200-203页 |
| 致谢 | 第203页 |
