| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·量子阱红外探测器概述 | 第11-17页 |
| ·本文的研究目的和内容 | 第17-19页 |
| 2 多量子阱和超晶格能带结构的计算 | 第19-31页 |
| ·引言 | 第19-20页 |
| ·基于单电子薛定谔方程的单量子阱能级计算 | 第20-27页 |
| ·超晶格微带结构的计算 | 第27-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 高电场下的散射行为 | 第31-50页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·极化光学声子散射 | 第32-34页 |
| ·谷间散射 | 第34-37页 |
| ·合金散射 | 第37-39页 |
| ·碰撞离化率的计算 | 第39-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 4 量子阱红外探测器的雪崩效应的分析 | 第50-67页 |
| ·传统碰撞离化理论的研究方法 | 第50-51页 |
| ·量子阱红外探测器中的碰撞离化的特点 | 第51-53页 |
| ·测试手段和实验结果 | 第53-58页 |
| ·量子阱中碰撞离化的理论模型 | 第58-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 5 量子阱红外探测器的高偏压暗电流分析 | 第67-82页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·GaAs/A1GaAs量子阱红外探测器暗电流自洽计算方法 | 第68-72页 |
| ·样品制备和实验手段 | 第72-75页 |
| ·高偏压下的隧穿电流 | 第75-79页 |
| ·暗电流噪声 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 6 缺陷辅助隧穿对高偏压下暗电流的影响 | 第82-91页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·实验结果 | 第83-86页 |
| ·缺陷辅助隧穿理论模型 | 第86-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 7 总结与展望 | 第91-93页 |
| ·总结 | 第91-92页 |
| ·不足与展望 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-102页 |
| 附录1 攻读博士期间发表的论文 | 第102页 |