| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-21页 |
| ·场致发射冷阴极 | 第8-11页 |
| ·碳纳米管综述 | 第11-15页 |
| ·纳米电子器件 | 第11-12页 |
| ·碳纳米管简介 | 第12-15页 |
| ·碳纳米管的制备 | 第15页 |
| ·薄膜制备 | 第15-18页 |
| ·历史与发展 | 第15-16页 |
| ·真空镀膜技术原理 | 第16-18页 |
| ·论文的选题及主要工作 | 第18-19页 |
| ·参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 场致发射及其应用 | 第21-35页 |
| ·场致发射机理 | 第21-26页 |
| ·表面势垒与电子发射 | 第21页 |
| ·金属场致发射公式的推导 | 第21-24页 |
| ·温度对场致发射的影响 | 第24页 |
| ·福勒－诺德海姆公式的精确性 | 第24-25页 |
| ·半导体场致发射 | 第25-26页 |
| ·内场致发射 | 第26页 |
| ·场致发射电子的能量分布和NOTTINGHAM效应 | 第26-28页 |
| ·空间电荷效应 | 第28-29页 |
| ·场致发射的应用 | 第29-33页 |
| ·微尖阵列场发射阴极(FEA) | 第29-31页 |
| ·CNT阴极 | 第31-33页 |
| ·参考文献 | 第33-35页 |
| 第三章 化学气相沉积法制备碳纳米管冷阴极的研究 | 第35-52页 |
| ·引言 | 第35-37页 |
| ·实验装置与实验步骤 | 第37-38页 |
| ·实验及其结果分析 | 第38-50页 |
| ·衬底为金膜 | 第38-42页 |
| ·衬底为金属钼空心圆柱体 | 第42-46页 |
| ·衬底为金属钼片 | 第46-47页 |
| ·衬底为金属铜片 | 第47-49页 |
| ·衬底为不锈钢片 | 第49-50页 |
| ·参考文献 | 第50-52页 |
| 第四章 大电流密度碳纳米管冷阴极的研究 | 第52-58页 |
| ·大电流密度碳纳米管冷阴极制备 | 第52-55页 |
| ·前言 | 第52页 |
| ·实验 | 第52页 |
| ·实验结果与讨论 | 第52-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| ·碳纳米管冷阴极场发射前后的比较 | 第55-56页 |
| ·参考文献 | 第56-58页 |
| 第五章 丝网印刷法制备碳纳米管冷阴极的研究 | 第58-70页 |
| ·丝网印刷概述 | 第58-60页 |
| ·丝网印刷原理 | 第58页 |
| ·丝网印刷的特点 | 第58-59页 |
| ·丝网印刷的应用 | 第59-60页 |
| ·丝网印刷法制备碳纳米管冷阴极 | 第60-63页 |
| ·印刷浆料的制备 | 第60-62页 |
| ·碳纳米管阴极的印刷 | 第62-63页 |
| ·实验结果与讨论 | 第63-65页 |
| ·CVD法与丝网印刷法制备的碳纳米管场致发射冷阴极的比较 | 第65-69页 |
| ·参考文献 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 作者在硕士研究生期间发表的论文清单 | 第73页 |