稀磁半导体ZnS掺杂Mn薄膜的研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 序 | 第9-12页 |
| 1 引言 | 第12-21页 |
| ·半导体自旋电子学的简介 | 第12-13页 |
| ·稀磁半导体的基本介绍 | 第13-16页 |
| ·ZnS基稀磁半导体的国内外研究现状 | 第16-18页 |
| ·本论文研究的主要内容、目的及意义 | 第18-21页 |
| ·主要研究内容 | 第19-20页 |
| ·研究目的及意义 | 第20-21页 |
| 2 论背景和计算模型 | 第21-28页 |
| ·第一性原理计算 | 第21-24页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第22页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| ·DFT理论的优点和缺陷 | 第23-24页 |
| ·VASP软件基本介绍 | 第24-26页 |
| ·VASP程序的使用方法 | 第24-26页 |
| ·超级原胞的构建及参数设置 | 第26-28页 |
| 3 ZnS(110)表面掺杂Mn的研究 | 第28-38页 |
| ·结构优化 | 第29页 |
| ·Mn掺杂对体系稳定性和磁矩的影响 | 第29-32页 |
| ·ZnS(110)掺杂Mn的态密度分析 | 第32-37页 |
| ·电荷密度分析 | 第37-38页 |
| 4 ZnS(111)表面掺杂Mn的研究 | 第38-56页 |
| ·结构优化前的参数测试 | 第39-43页 |
| ·Slab模型真空层厚度的选取 | 第39-40页 |
| ·超级原胞的不同驰豫情况 | 第40-43页 |
| ·单个Mn原子的掺杂 | 第43-50页 |
| ·几何性质 | 第43-44页 |
| ·结构稳定性 | 第44页 |
| ·电子和磁性性质 | 第44-50页 |
| ·两个Mn原子的掺杂 | 第50-56页 |
| ·几何性质 | 第50-51页 |
| ·结构稳定性 | 第51页 |
| ·电子和磁性性质 | 第51-56页 |
| 5 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 作者简历 | 第60-62页 |
| 学位论文数据集 | 第62页 |
