| 第一章 前言 | 第1-13页 |
| §1.1 半导体激光器的发展与应用 | 第7-8页 |
| §1.2 半导体激光器的应用 | 第8-10页 |
| §1.3 应变量子阱激光器 | 第10-11页 |
| §1.4 本论文研究的主要内容 | 第11-13页 |
| 第二章 半导体激光器的温度特性 | 第13-35页 |
| §2.1 引言 | 第13-16页 |
| §2.1.1 半导体激光器的温度特性 | 第13页 |
| §2.1.2 特征温度T_0 | 第13-14页 |
| §2.1.3 影响T_0的物理因素 | 第14-16页 |
| §2.2 载流子泄漏对T_0的影响 | 第16-23页 |
| §2.2.1 超越异质结势垒的准平衡载流子泄漏 | 第16-17页 |
| §2.2.2 少子在限制层中的运动与载流子泄漏 | 第17-18页 |
| §2.2.3 阈值及其温度关系 | 第18-21页 |
| §2.2.4 有效质量对泄漏的影响 | 第21-22页 |
| §2.2.5 重空穴有效质量对T_0的影响 | 第22-23页 |
| §2.3 俄歇复合对T_0的影响 | 第23-27页 |
| §2.3.1 体材料中的俄歇复合 | 第23-25页 |
| §2.3.2 量子阱中中的俄歇复合 | 第25-26页 |
| §2.3.3 俄歇复合率随载流子浓度的变化 | 第26-27页 |
| §2.4 价带间跃迁对T_0的影响 | 第27-34页 |
| §2.4.1 价带间光吸收对微分量子效率的影响 | 第27-30页 |
| §2.4.2 体材料与量子阱材料中的价带间光吸收 | 第30-32页 |
| §2.4.3 量子阱激光器中价带间光吸收随带隙与温度的变化 | 第32-33页 |
| §2.4.4 价带间光吸收对T_0的影响 | 第33-34页 |
| §2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 应变量子阱激光器原理和结构 | 第35-58页 |
| §3.1 量子阱激光器结构原理 | 第35-45页 |
| §3.1.1 超晶格物理与量子阱 | 第35-36页 |
| §3.1.2 量子阱中的能量状态与二维电子气 | 第36-40页 |
| §3.1.3 量子阱中载流子的能量分布 | 第40-41页 |
| §3.1.4 量子阱中载流子的收集与复合 | 第41-42页 |
| §3.1.5 量子阱激光器结构 | 第42-45页 |
| §3.2 应变量子阱激光器 | 第45页 |
| §3.3 晶格失配与应变 | 第45-47页 |
| §3.4 临界厚度 | 第47-50页 |
| §3.4.1 异质结应变层的临界厚度 | 第47-49页 |
| §3.4.2 临界厚度的确定 | 第49-50页 |
| §3.5 应变量子阱能带结构 | 第50-53页 |
| §3.5.1 应变对能带结构的影响 | 第50-52页 |
| §3.5.2 应变量子阱的能带结构 | 第52-53页 |
| §3.6 应变量子阱激光器增益特性 | 第53-56页 |
| §3.6.1 模增益特性 | 第53-54页 |
| §3.6.2 阈值电流特性 | 第54-55页 |
| §3.6.3 偏振选择性 | 第55-56页 |
| §3.7 应变量子阱激光器温度特性 | 第56-57页 |
| §3.8 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 压应变量子阱激光器结构设计和实验分析 | 第58-64页 |
| §4.1 高T_0值大功率压应变量子阱激光器结构设计 | 第58-61页 |
| §4.2 高T_0值大功率压应变量子阱激光器工作特性测试与实验分析 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
