| 英文摘要 | 第1-5页 |
| 中文摘要 | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-8页 |
| 第一章 冷阴极场致电子发射 | 第8-24页 |
| 1．1 场致电子发射现象 | 第8-9页 |
| 1．2 场致电子发射的物理机制 | 第9-13页 |
| 1．2．1 逸出功 | 第9-10页 |
| 1．2．2 场致电子发射规律及Fowler-Nordheim方程 | 第10-13页 |
| 1．3 场致发射冷阴极材料的研究进展 | 第13-20页 |
| 1．3．1 碳基薄膜的发展 | 第13-14页 |
| 1．3．2 氮化碳薄膜的研究进展 | 第14-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 磁控溅射制备氮化碳薄膜的场致发射特性 | 第24-38页 |
| 2．1 引言 | 第24页 |
| 2．2 磁控溅射 | 第24-28页 |
| 2．2．1 溅射的物理过程 | 第24-25页 |
| 2．2．2 磁控溅射镀膜 | 第25-27页 |
| 2．2．3 直流磁控溅射沉积系统 | 第27-28页 |
| 2．3 实验 | 第28-30页 |
| 2．3．1 氮化碳薄膜的制备 | 第28-29页 |
| 2．3．2 氮化碳薄膜场致发射特性的测试方法 | 第29-30页 |
| 2．4 实验结果和分析 | 第30-35页 |
| 2．4．1 氮掺杂对非晶碳薄膜场致发射特性的影响 | 第30-32页 |
| 2．4．2 不同条件下沉积氮化碳薄膜的场致发射特性 | 第32-35页 |
| 2．5 小结 | 第35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第三章 微波等离子体化学气相沉积氮化碳薄膜的场致发射特性 | 第38-57页 |
| 3．1 引言 | 第38页 |
| 3．2 微波等离子体化学气相沉积机制 | 第38-42页 |
| 3．2．1 微波等离子体化学气相沉积 | 第38-40页 |
| 3．2．2 微波等离子体化学气相沉积系统 | 第40-42页 |
| 3．2．3 MPCVD生长氮化碳薄膜的机制 | 第42页 |
| 3．3 氮化碳薄膜的制备 | 第42-44页 |
| 3．4 实验结果及分析 | 第44-53页 |
| 3．4．1 氮化碳薄膜的鉴定 | 第44-50页 |
| 3．4．2 氮化碳薄膜的场致发射特性 | 第50-53页 |
| 3．5 小结 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 第四章 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
