| 引 言 | 第1-36页 |
| 第一节 铁电体和压电体 | 第24-26页 |
| 第二节 压电薄膜材料 | 第26-28页 |
| 第三节 铁电薄膜的制备方法 | 第28-30页 |
| 第四节 Pb（Zr_（1-x）Ti_x）O_3（PZT）陶瓷的铁电性能 | 第30-31页 |
| 第五节 薄膜中的残余应力 | 第31-33页 |
| 第六节 本论文的选题依据和主要内容 | 第33-36页 |
| 第一章 PZT薄膜材料的制备 | 第36-44页 |
| 第一节 PZT压电陶瓷的制备 | 第36-39页 |
| 第二节 衬底的选择 | 第39-40页 |
| 第三节 脉冲激光沉积法制备PZT薄膜 | 第40-43页 |
| 第四节 金属有机化合物分解法制备PZT薄膜 | 第43-44页 |
| 第二章 PZT薄膜的微观结构和铁电性能 | 第44-64页 |
| 第一节 用PLD法制备的PZT薄膜的微结构 | 第44-48页 |
| 第二节 用MOD制备的PZT薄膜的微结构 | 第48-54页 |
| 第三节 PZT薄膜铁电性能的测试方法 | 第54-57页 |
| 第四节 用PLD法制备的PZT薄膜的铁电性能 | 第57-59页 |
| 第五节 用MOD法制备的PZT薄膜的铁电性能 | 第59-62页 |
| 第六节 用PLD法制备的PZT铁电薄膜c轴取向率 | 第62-64页 |
| 第三章 X射线衍射法测量薄膜的残余应力 | 第64-80页 |
| 第一节 用X射线衍射法测量压电薄膜残余应力的原理 | 第64-67页 |
| 第二节 用PLD法制备的PZT铁电薄膜的残余应力及残余应力对其铁电性能的影响 | 第67-75页 |
| 第三节 用MOD法制备的PZT铁电薄膜的残余应力及残余应力对其铁电性能的影响 | 第75-78页 |
| 第四节 用X射线法测定薄膜应力中存在的问题 | 第78-80页 |
| 第四章 用压痕法测量压电薄膜的残余应力 | 第80-107页 |
| 第一节 薄膜应力计算的压痕断裂模型 | 第80-85页 |
| 第二节 PLD法制备的PZT铁电薄膜的残余应力的测量 | 第85-91页 |
| 第三节 MOD法制备的PZT铁电薄膜的残余应力的测量 | 第91-107页 |
| 第五章 总结和展望 | 第107-110页 |
| 第一节 论文的总结 | 第107-109页 |
| 第二节 工作展望 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-117页 |
| 攻读硕士学位期间已公开发表的论文 | 第117-118页 |
| 致谢 | 第118页 |
