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受限高分子单链的计算机模拟

第一章 绪论第1-19页
 1.1 计算机模拟研究的基本方法第8-10页
 1.2 计算机模拟研究的模型第10-12页
  1.2.1 格子模型第11页
  1.2.2 普通无规行走和自避无规行走模型第11-12页
 1.3 受限高分子单链的计算机模拟第12-14页
  1.3.1 Manhattan格子上的SAW第12-13页
  1.3.2 刚性壁与吸附壁对高分子链的影响第13-14页
  1.3.3 最近邻相互作用第14页
  1.3.4 尾形链第14页
 1.4 研究工作的主要内容第14-15页
 参考文献第15-19页
第二章 Monte Carlo模拟的抽样方法和算法第19-25页
 2.1 简单抽样和重要性抽样方第19-21页
 2.2 枢轴抽样法第21-23页
 2.3 基本算法第23-24页
 参考文献第24-25页
第三章 Manhattan格点上的自避行走第25-53页
 3.1 Manhattan格点模型第25-28页
 3.2 近似方法第28-29页
  3.2.1 比率法第28页
  3.2.2 Padé有理近似第28-29页
 3.3 结果和讨论第29-49页
  3.3.1 二维尾形SAW第29-37页
  3.3.2 三维自由SAW第37-42页
  3.3.3 三维尾形SAW第42-49页
 结论第49-50页
 参考文献第50-53页
第四章 吸附和塌缩的相互作用第53-87页
 4.1 模型的定义第53-54页
 4.2 复合Markov链法第54-55页
 4.3 直方图技术第55-57页
 4.4 模拟结果和讨论第57-84页
  4.4.1 热容第57-66页
  4.4.2 吸附点和最近邻点第66-75页
  4.4.3 均方末端距垂直分量第75-82页
  4.4.4 相图第82-84页
 结论第84-85页
 参考文献第85-87页
第五章 近壁高分子链第87-122页
 5.1 二维近壁NRW第87-98页
  5.1.1 近似解析解第87-90页
  5.1.2 解析解与模拟结果的比较第90-98页
 5.2 三维近壁NRW第98-108页
  5.2.1 近似解析解第98-101页
  5.2.2 解析解与模拟结果的比较第101-108页
 5.3 二维近壁SAW第108-113页
  5.3.1 模型和模拟方法第108页
  5.3.2 数值结果和讨论第108-113页
 5.4 三维近壁SAW第113-119页
  5.4.1 模型和模拟方法第113页
  5.4.2 数值结果和讨论第113-119页
 结论第119-121页
 参考文献第121-122页
致谢第122页

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