| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·高功率半导体激光器的研究进展 | 第7-9页 |
| ·980nm半导体激光器的发展 | 第9-10页 |
| ·本论文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 980nm脊形量子阱半导体激光器的结构设计与理论分析 | 第12-30页 |
| ·980nm脊形量子阱半导体激光器外延结构设计的理论基础 | 第12-21页 |
| ·980nm脊形量子阱半导体激光器中的量子阱的设计 | 第21-24页 |
| ·980nm脊形量子阱半导体激光器结构优化设计 | 第24-30页 |
| 第三章 高功率980nm脊形量子阱半导体激光器的器件制备 | 第30-46页 |
| ·分子束外(MBE)技术简介 | 第30-33页 |
| ·高功率980nm脊形量子阱半导体激光器的器件制备 | 第33-40页 |
| ·高功率980nm脊形量子阱半导体激光器制备后工艺流程 | 第40-43页 |
| ·器件特性及结论 | 第43-46页 |
| 第四章 980nm脊形量子阱半导体激光器输出的研究 | 第46-50页 |
| ·980nm脊形量子阱半导体激光器的模场表达式 | 第46-47页 |
| ·980nm脊形量子阱半导体激光器的模场特点 | 第47-48页 |
| ·980nm脊形量子阱半导体激光器与光纤耦合 | 第48-50页 |
| 总结 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
