| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米结构的制备研究 | 第9-17页 |
| ·气相传输冷凝法 | 第10-16页 |
| ·湿化学法 | 第16-17页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米结构的性质研究 | 第17页 |
| ·本课题的提出及其意义 | 第17-18页 |
| ·本论文研究路线的设计及其研究内容 | 第18-21页 |
| ·本论文的研究路线 | 第18页 |
| ·本论文的研究内容 | 第18-21页 |
| 第2章 单晶β-Ga_2O_3纳米线的原位生长及其生长机理 | 第21-31页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·实验部分 | 第22-23页 |
| ·实验试剂和仪器 | 第22页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米线的制备 | 第22页 |
| ·产物的表征 | 第22-23页 |
| ·结果与讨论 | 第23-29页 |
| ·SEM和EDS分析 | 第23-24页 |
| ·Raman分析 | 第24页 |
| ·TEM分析 | 第24-25页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米线的生长机理 | 第25-28页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米线的光致发光性能 | 第28-29页 |
| ·结论 | 第29-31页 |
| 第3章 镓基质表面上锥状β-Ga_2O_3纳米线的原位生长及其发光性能 | 第31-45页 |
| ·引言 | 第31-32页 |
| ·实验部分 | 第32-33页 |
| ·锥状β-Ga_2O_3纳米线的制备 | 第32页 |
| ·产物的表征 | 第32-33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-44页 |
| ·反应温度对产物的影响 | 第33-35页 |
| ·XRD分析 | 第35-37页 |
| ·TEM分析 | 第37-38页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米线的生长机理 | 第38-42页 |
| ·β-Ga_2O_3锥状纳米线的发光性能 | 第42-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| 第4章 规则六边形β-Ga_2O_3纳米片的制备及其发光特性 | 第45-57页 |
| ·引言 | 第45页 |
| ·实验部分 | 第45-47页 |
| ·实验仪器及主要试剂 | 第45页 |
| ·规则六边形β-Ga_2O_3纳米片的制备 | 第45-46页 |
| ·产物的表征 | 第46-47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-55页 |
| ·SEM和EDS分析 | 第47-49页 |
| ·XRD和Raman分析 | 第49-50页 |
| ·TEM分析 | 第50-51页 |
| ·反应机理讨论 | 第51-54页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米片的发光特性 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-57页 |
| 第5章 β-Ga_2O_3纳米带和纳米链的可控合成 | 第57-65页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·实验部分 | 第58-59页 |
| ·实验主要仪器及试剂 | 第58页 |
| ·实验过程 | 第58-59页 |
| ·产物的表征 | 第59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-63页 |
| ·NH_4Cl与Ga之间距离对产物的影响 | 第59-61页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第61页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米带和纳米链的生长机理 | 第61-62页 |
| ·β-Ga_2O_3纳米带和纳米链的光致发光特性 | 第62-63页 |
| ·结论 | 第63-65页 |
| 第6章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第75页 |
