纳米银焊膏互连芯片DBC基板的镀银工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-25页 |
| ·电子封装技术概述 | 第8-13页 |
| ·电子封装技术的定义 | 第8-9页 |
| ·电子封装技术的发展 | 第9页 |
| ·电子封装技术的功能和分级 | 第9-10页 |
| ·电子封装的类型 | 第10-13页 |
| ·电子封装技术的发展趋势 | 第13页 |
| ·电子封装膜技术的简介 | 第13-16页 |
| ·电镀技术 | 第14页 |
| ·脉冲电镀技术 | 第14-15页 |
| ·物理气相沉积（PVD）技术 | 第15-16页 |
| ·丝网印刷厚膜技术 | 第16页 |
| ·电子封装微互连技术的简介 | 第16-18页 |
| ·钎焊材料 | 第17页 |
| ·低温烧结纳米银焊膏 | 第17-18页 |
| ·电子封装基板技术的简介 | 第18-23页 |
| ·陶瓷基板应具有的条件 | 第19-21页 |
| ·各类陶瓷基板的简介 | 第21-22页 |
| ·陶瓷基板的金属化 | 第22-23页 |
| ·本文研究意义及研究工作 | 第23-25页 |
| ·本文研究意义 | 第23-24页 |
| ·本文研究工作 | 第24-25页 |
| 第二章 实验材料及实验设备 | 第25-27页 |
| ·实验材料及药品 | 第25页 |
| ·实验材料 | 第25页 |
| ·实验药品 | 第25页 |
| ·实验设备 | 第25-27页 |
| 第三章 铜基板无氰电镀银工艺及银层性能的研究 | 第27-41页 |
| ·亚硫酸盐无氰电镀银工艺 | 第27-31页 |
| ·亚硫酸盐电镀银液配方 | 第27页 |
| ·亚硫酸盐电镀银液的配制 | 第27-28页 |
| ·亚硫酸盐电镀银液的维护 | 第28页 |
| ·实验方法 | 第28页 |
| ·实验结果与分析 | 第28-29页 |
| ·实验方法改善及结果 | 第29-31页 |
| ·亚硫酸盐无氰电镀银层的研究与分析 | 第31-33页 |
| ·镀银层的检验 | 第31页 |
| ·电镀时间对镀银层的影响 | 第31-32页 |
| ·银盐浓度对镀银层的影响 | 第32页 |
| ·镀液温度对镀银层的影响 | 第32-33页 |
| ·亚硫酸盐无氰电镀银层抗变色性能的研究 | 第33-37页 |
| ·提高镀银层厚度 | 第34页 |
| ·浸银工艺 | 第34-35页 |
| ·调节电流密度 | 第35-36页 |
| ·钝化处理工艺 | 第36-37页 |
| ·预镀中间层工艺 | 第37页 |
| ·硫代硫酸盐无氰电镀银工艺 | 第37-40页 |
| ·硫代硫酸盐电镀银液配方 | 第38页 |
| ·硫代硫酸盐电镀银液的配制 | 第38页 |
| ·硫代硫酸盐电镀银液的维护 | 第38-39页 |
| ·实验方法 | 第39页 |
| ·实验结果及分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 铜基板电镀镍后磁控溅射银工艺的研究 | 第41-47页 |
| ·铜基板磁控溅射银工艺 | 第41-42页 |
| ·磁控溅射银工艺参数 | 第41页 |
| ·实验方法 | 第41-42页 |
| ·实验结果及分析 | 第42页 |
| ·铜基板电镀镍后磁控溅射银工艺 | 第42-46页 |
| ·铜基板电镀镍工艺 | 第42-44页 |
| ·磁控溅射银工艺参数 | 第44页 |
| ·实验方法 | 第44-45页 |
| ·实验结果 | 第45页 |
| ·实验方法的改善 | 第45-46页 |
| ·实验结果及分析 | 第46页 |
| ·试样的保存 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论 | 第47-48页 |
| ·本文的主要工作及结论 | 第47页 |
| ·下一步工作建议及展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
