| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| ·化学气相沉积原理 | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积的分类和应用 | 第14-15页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第15-16页 |
| ·CVD输运过程 | 第16-18页 |
| ·MOCVD反应器中输运现象的研究 | 第18-24页 |
| ·水平式反应器的研究 | 第20-21页 |
| ·行星式反应器的研究 | 第21页 |
| ·垂直式反应器的研究 | 第21-24页 |
| ·现有MOCVD反应器存在的问题 | 第24页 |
| ·本论文的主要目标 | 第24-26页 |
| 第二章 水平切向喷射式反应器设计、数学模型建立与数值模拟方法 | 第26-41页 |
| ·切向喷射式反应器的设计 | 第26-28页 |
| ·新型反应器的设计由来 | 第26页 |
| ·反应器的设计原理 | 第26-28页 |
| ·基本假设和模型特性 | 第28-29页 |
| ·控制方程 | 第29-30页 |
| ·边界条件 | 第30-31页 |
| ·气体热物性参数 | 第31-33页 |
| ·数值模拟方法 | 第33-40页 |
| ·控制方程的离散 | 第34-36页 |
| ·SIMPLE算法 | 第36-40页 |
| ·FLUENT软件简介 | 第40-41页 |
| 第三章 数值模拟结果与讨论 | 第41-55页 |
| ·反应室的几何尺寸与验证计算 | 第41-43页 |
| ·尺寸设计 | 第41-42页 |
| ·验证计算 | 第42-43页 |
| ·模拟的边界条件与场分布显示 | 第43-44页 |
| ·边界条件设置 | 第43页 |
| ·场分布显示 | 第43-44页 |
| ·模拟的结果与讨论分析 | 第44-51页 |
| ·进口管与壁面之间夹角的影响 | 第44-45页 |
| ·进口流量的影响 | 第45-46页 |
| ·反应器高度的影响 | 第46-48页 |
| ·喷管数目的影响 | 第48-49页 |
| ·反应器压强的影响 | 第49页 |
| ·托盘旋转的影响 | 第49-50页 |
| ·出口方向的影响 | 第50-51页 |
| ·优化模拟小结 | 第51页 |
| ·对比新型反应器与垂直式反应器的效果 | 第51-55页 |
| ·等效垂直喷射式反应器的生成 | 第51-52页 |
| ·模拟结果对比与分析 | 第52-54页 |
| ·对比模拟小结 | 第54-55页 |
| 第四章 考虑辐射的数值模拟 | 第55-63页 |
| ·MOCVD反应器中辐射模拟 | 第55-56页 |
| ·辐射传热的数值计算模型 | 第56-59页 |
| ·辐射计算方法 | 第56-57页 |
| ·辐射模型的选择 | 第57页 |
| ·离散坐标(DO)模型 | 第57-58页 |
| ·石英壁面的辐射特性 | 第58-59页 |
| ·辐射数值模拟与结果讨论 | 第59-61页 |
| ·外壁面冷却模拟与分析 | 第61-62页 |
| ·辐射模拟小结 | 第62-63页 |
| 第五章 包含化学反应的数值模拟 | 第63-70页 |
| ·MOCVD生长GaN的化学反应过程 | 第63-67页 |
| ·气相反应过程 | 第63-65页 |
| ·表面反应过程 | 第65-67页 |
| ·模拟过程及结果显示 | 第67-69页 |
| ·化学反应模拟小结 | 第69-70页 |
| 第六章 GaN生长工艺的模拟研究 | 第70-80页 |
| ·GaN MOCVD生长模拟 | 第70-71页 |
| ·模型建立与模拟过程 | 第71-72页 |
| ·基准条件下的结果与分析 | 第72-74页 |
| ·工艺参数的变化对生长的影响 | 第74-79页 |
| ·反应气体流量的影响 | 第74-76页 |
| ·衬底温度的影响 | 第76-77页 |
| ·压强的影响 | 第77-78页 |
| ·转速的影响 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第七章 总结与展望 | 第80-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 攻读学位期间发表的论文和专利 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |