摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-10页 |
引言 | 第10-11页 |
第1章 文献综述 | 第11-21页 |
·纳米SiC 对材料改性的作用及存在问题 | 第11页 |
·纳米无机粒子表面修饰技术研究进展 | 第11-18页 |
·无机涂覆技术 | 第11-12页 |
·有机包覆修饰 | 第12-13页 |
·表面引发自由基接枝修饰 | 第13页 |
·高能改性技术 | 第13-14页 |
·新型表面引发活性接枝聚合技术 | 第14-18页 |
·聚合物表面修饰的纳米SiC 分散稳定机理 | 第18-19页 |
·研究的内容和目的 | 第19-21页 |
·研究内容 | 第19-20页 |
·研究目的 | 第20-21页 |
第2章 纳米SiC 表面引入RATRP 活性基团方法的研究 | 第21-27页 |
·试验原料、试剂及仪器 | 第21-22页 |
·试验原料 | 第21页 |
·试验试剂及仪器 | 第21-22页 |
·试验原理 | 第22-23页 |
·纳米SiC 表面引入过氧基团原理 | 第22页 |
·纳米SiC 表面偶联KH-570 原理 | 第22-23页 |
·纳米SiC 表面引入活性基团技术路线 | 第23-24页 |
·试验过程 | 第24页 |
·红外光谱测试 | 第24-25页 |
·谱图分析 | 第25-26页 |
·纳米SiC 表面引入过氧引发基团红外谱图分析 | 第25页 |
·纳米SiC 颗粒表面偶联KH-570 红外谱图分析 | 第25-26页 |
·小结 | 第26-27页 |
第3章 KH-570 水解工艺研究 | 第27-32页 |
·试验试剂和仪器 | 第27页 |
·试验方法 | 第27-28页 |
·测试方法 | 第28页 |
·水解试验结果讨论 | 第28-31页 |
·水的添加量对KH-570 水解影响分析 | 第28-30页 |
·pH 值对KH-570 水解影响分析 | 第30-31页 |
·小结 | 第31-32页 |
第4章 纳米SiC 与KH-570 偶联工艺研究 | 第32-42页 |
·试验试剂和仪器 | 第32-33页 |
·试验过程 | 第33页 |
·结构分析 | 第33-34页 |
·性能测试 | 第34-35页 |
·SiC 颗粒表面偶联KH-570 条件选择 | 第35-41页 |
·偶联反应溶剂的选择 | 第35-36页 |
·KH-570 最佳添加量的确定 | 第36-37页 |
·偶联反应时间的确定 | 第37-39页 |
·偶联方式对SiC-KH-570 接枝率影响分析 | 第39-40页 |
·SiC-KH-570 粒度分析 | 第40-41页 |
·小结 | 第41-42页 |
第5章 以FeCl_3/PPh3 为催化体系用RATRP 修饰纳米SiC | 第42-49页 |
·试验试剂和仪器 | 第42-43页 |
·试验过程 | 第43页 |
·性能测试 | 第43-45页 |
·正交试验及结果 | 第45-46页 |
·RATRP 修饰纳米SiC 的性能及结构分析 | 第46-48页 |
·分散稳定性分析 | 第46-47页 |
·红外光谱IR 分析 | 第47-48页 |
·小结 | 第48-49页 |
第6章 以CuCl_2/O-phen 为催化体系用RATRP 修饰纳米SiC | 第49-64页 |
·试验试剂及仪器 | 第49-50页 |
·试验过程 | 第50页 |
·性能测试 | 第50-52页 |
·纳米SiC 表面RATRP 条件选择 | 第52-58页 |
·催化体系的选择 | 第52-53页 |
·单体的选择 | 第53页 |
·KH-570 偶联反应对RATRP 的影响 | 第53-55页 |
·最佳RATRP 条件确定 | 第55-58页 |
·表面结构与性能分析 | 第58-62页 |
·IR 红外光谱表征 | 第58-59页 |
·TG-DTA 分析 | 第59-60页 |
·FESEM 分析 | 第60-61页 |
·XRD 衍射结果分析 | 第61页 |
·烧失率分析 | 第61-62页 |
·RATRP 与常规自由基聚合(RT)表面修饰纳米SiC 比较研究 | 第62-63页 |
·小结 | 第63-64页 |
结论 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
导师简介 | 第71-72页 |
作者简介 | 第72-73页 |
学位论文数据集 | 第73页 |