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二维过渡金属硫族化合物材料的可控制备

摘要第8-9页
Abstract第9-10页
第一章 绪论第11-33页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 二维过渡金属硫族化合物第12-27页
        1.2.1 晶体结构第12-13页
        1.2.2 电子结构第13-14页
        1.2.3 光学性质第14-15页
        1.2.4 二维过渡金属硫族化合物的制备第15-21页
        1.2.5 二维过渡金属硫族化合物中的点缺陷第21-22页
        1.2.6 二维过渡金属硫族化合物的边缘与晶界第22-27页
    1.3 二维过渡金属硫族化合物的合金化第27-28页
    1.4 二维过渡金属硫族化合物的异质结第28-30页
    1.5 选题依据和研究内容第30-33页
第二章 实验方法第33-37页
    2.1 实验材料与设备第33-34页
    2.2 材料表征第34-37页
第三章 硫族元素取代法制备原子层厚的 MoS_2-MoSe_2平面异质结第37-45页
    3.1 引言第37-38页
    3.2 实验部分第38页
    3.3 结果与讨论第38-43页
    3.4 结论第43-45页
第四章 单层 MoS_(2x)Se_(2(1-x))合金的可控制备研究第45-54页
    4.1 引言第45-46页
    4.2 实验部分第46-47页
        4.2.1 单层MoS_2材料的制备第46页
        4.2.2 单层 MoS_(2x)Se_(2(1-x))合金材料的制备第46页
        4.2.3 透射电镜样品的制备第46-47页
    4.3 实验结果与讨论第47-53页
    4.4 小结第53-54页
第五章 结晶紫溶液辅助生长MoS_2及生长机理探究第54-62页
    5.1 引言第54-55页
    5.2 实验方法第55页
    5.3 实验结果与讨论第55-60页
    5.4 小结第60-62页
第六章 总结和展望第62-65页
参考文献第65-73页
作者简历第73-75页
致谢第75页

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