| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1.绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 忆阻器简介 | 第9-12页 |
| 1.2 第一性原理计算在忆阻器的应用 | 第12-18页 |
| 1.3 忆阻器阻变机理及其模型 | 第18-21页 |
| 1.4 氧化铪忆阻器简介 | 第21-23页 |
| 1.5 本文的研究目的和意义 | 第23-24页 |
| 2.理论基础及计算算法 | 第24-32页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第24-27页 |
| 2.2 非平衡格林函数与电子输运 | 第27-29页 |
| 2.3 LDA-1/2算法介绍 | 第29-30页 |
| 2.4 第一性原理计算软件 | 第30-32页 |
| 3.基于导电细丝HfOx忆阻器的电输运研究 | 第32-47页 |
| 3.1 氧空位、金属导电细丝忆阻器模型构建 | 第32-36页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第36-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 4.导电丝相与HfO_2界面电输运研究 | 第47-53页 |
| 4.1 导电丝相与HfO_2界面模型构建 | 第47-50页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第50-52页 |
| 4.3 本章小结 | 第52-53页 |
| 5.总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 总结 | 第53页 |
| 5.2 展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |