| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-33页 |
| 1.1 热电材料研究背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.2 热电效应及其应用 | 第13-17页 |
| 1.2.1 Seebeck效应 | 第13-15页 |
| 1.2.2 Peltier效应 | 第15-16页 |
| 1.2.3 Thomson效应 | 第16-17页 |
| 1.3 热电材料的性能表征 | 第17-23页 |
| 1.3.1 Seebeck系数 | 第17-18页 |
| 1.3.2 电导率 | 第18-19页 |
| 1.3.3 热导率 | 第19-21页 |
| 1.3.4 热电优值和转化效率 | 第21-23页 |
| 1.4 热电材料研究现状 | 第23-28页 |
| 1.4.1 几种典型的热电材料 | 第24-26页 |
| 1.4.2 热电材料的优化方法 | 第26-27页 |
| 1.4.3 高压技术在热电材料中的应用 | 第27-28页 |
| 1.5 Mg_2X基热电材料的研究进展 | 第28-31页 |
| 1.5.1 Mg_2X基热电材料的基本性质 | 第28-31页 |
| 1.5.2 Mg_2Si基热电材料的制备方法 | 第31页 |
| 1.6 本文的研究思路和主要内容 | 第31-33页 |
| 第2章 Mg_2Si的高压制备与点缺陷对热电性能影响研究 | 第33-53页 |
| 2.1 引言 | 第33-34页 |
| 2.2 Mg_2Si热电材料的高压合成 | 第34-37页 |
| 2.2.1 高压设备简介 | 第34-36页 |
| 2.2.2 放电等离子烧结(SPS)系统简介 | 第36-37页 |
| 2.3 材料的性能测试方法 | 第37-40页 |
| 2.3.1 电输运性能和热导率的测量 | 第37-39页 |
| 2.3.2 霍尔系数的测量 | 第39-40页 |
| 2.4 Mg_2Si化合物的高压合成方法 | 第40-43页 |
| 2.4.1 Mg_2Si中点缺陷的研究 | 第40-42页 |
| 2.4.2 Mg_2Si的高压制备探索 | 第42-43页 |
| 2.5 Mg~(2+)ySi化合物块体样品的制备与测试方法 | 第43-44页 |
| 2.6 Mg~(2+)ySi化合物样品热电性能分析 | 第44-51页 |
| 2.6.1 Mg~(2+)ySi室温时的相分析与微观结构 | 第44-46页 |
| 2.6.2 Mg~(2+)ySi化合物样品的电输运性能分析 | 第46-48页 |
| 2.6.3 Mg~(2+)ySi样品的热输运性能分析 | 第48-51页 |
| 2.6.4 Mg~(2+)ySi样品的ZT值分析 | 第51页 |
| 2.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 第3章 Sb掺杂Mg_2Si热电材料的高压合成及性能研究 | 第53-66页 |
| 3.1 引言 | 第53页 |
| 3.2 Mg_2Si_(1-x)Sb_x化合物样品的制备与测试方法 | 第53-54页 |
| 3.3 Mg_2Si_(1-x)Sb_x化合物样品形貌及室温输运性质 | 第54-57页 |
| 3.4 Mg_2Si_(1-x)Sb_x样品的热电性能 | 第57-64页 |
| 3.4.1 Mg_2Si_(1-x)Sb_x化合物样品的电输运性能分析 | 第57-59页 |
| 3.4.2 Mg_2Si_(1-x)Sb_x样品的热输运性能分析 | 第59-61页 |
| 3.4.3 Mg_2Si_(1-x)Sb_x样品的ZT值分析 | 第61-64页 |
| 3.5 Mg_2Si_(1-x)Sb_x样品热电性能稳定性的研究 | 第64-65页 |
| 3.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 Bi掺杂Mg_2Si热电材料的高压合成及性能研究 | 第66-79页 |
| 4.1 引言 | 第66页 |
| 4.2 Mg_2Si_(1-x)Bi_x化合物的高压合成与测试方法 | 第66-67页 |
| 4.3 Mg_2Si_(1-x)Bi_x样品的结构和室温输运性质 | 第67-70页 |
| 4.4 Mg_2Si_(1-x)Bi_x样品的热电性能 | 第70-77页 |
| 4.4.1 Mg_2Si_(1-x)Bi_x样品的电输运性能分析 | 第70-72页 |
| 4.4.2 Mg_2Si_(1-x)Bi_x样品的热输运性能分析 | 第72-75页 |
| 4.4.3 Mg_2Si_(1-x)Bi_x样品的ZT值分析 | 第75-77页 |
| 4.5 Mg_2Si_(1-x)Bi_x样品热电性能热稳定性研究 | 第77-78页 |
| 4.6 本章小结 | 第78-79页 |
| 第5章 Sb掺杂Mg_2Si0.4Sn0.6热电材料的高压合成及性能研究 | 第79-94页 |
| 5.1 引言 | 第79页 |
| 5.2 Mg_2(Si_(0.4)Sn_(0.6))_(1-x)Sb_x块体样品的高压制备探索 | 第79-82页 |
| 5.3 Mg_2(Si_(0.4)Sn_(0.6))_(1-x)Sb_x样品的结构分析 | 第82-84页 |
| 5.4 Mg_2(Si_(0.4)Sn_(0.6))_(1-x)Sb_x样品的室温输运性质 | 第84-85页 |
| 5.5 Mg_2(Si_(0.4)Sn_(0.6))_(1-x)Sb_x样品的热电性能 | 第85-91页 |
| 5.5.1 Mg_2(Si_(0.4)Sn_(0.6))_(1-x)Sb_x样品的电输运性能分析 | 第85-87页 |
| 5.5.2 Mg_2(Si_(0.4)Sn_(0.6))_(1-x)Sb_x样品的热输运性能分析 | 第87-89页 |
| 5.5.3 Mg_2(Si_(0.4)Sn_(0.6))_(1-x)Sb_x样品的ZT值分析 | 第89-91页 |
| 5.6 Mg_2(Si_(0.4)Sn_(0.6))_(1-x)Sb_x样品热电性能稳定性的研究 | 第91-92页 |
| 5.7 本章小结 | 第92-94页 |
| 结论 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-108页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
