摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 引言 | 第8-20页 |
1.1 氧氮化硅陶瓷概述 | 第8-9页 |
1.2 Si_2N_2O陶瓷制备方法 | 第9-10页 |
1.3 无压烧结Si_2N_2O陶瓷的反应机理 | 第10-12页 |
1.4 氧氮化硅结合碳化硅陶瓷概述 | 第12-13页 |
1.5 氧氮化硅结合碳化硅陶瓷制备工艺 | 第13-14页 |
1.5.1 热压烧结法制备Si_2N_2O-SiC陶瓷 | 第13页 |
1.5.2 无压烧结法制备Si_2N_2O-SiC陶瓷 | 第13页 |
1.5.3 埋炭烧成法制备Si_2N_2O-SiC陶瓷 | 第13-14页 |
1.5.4 原位燃烧合成法制备Si_2N_2O-SiC陶瓷 | 第14页 |
1.6 氧氮化硅结合碳化硅陶瓷研究进展 | 第14-18页 |
1.7 课题提出 | 第18-20页 |
1.7.1 研究目的 | 第19页 |
1.7.2 研究内容 | 第19页 |
1.7.3 创新点 | 第19-20页 |
第二章 实验方案及测试方法 | 第20-25页 |
2.1 实验原料 | 第20-21页 |
2.2 成型设备及工艺 | 第21-22页 |
2.2.1 成型设备 | 第21页 |
2.2.2 成型工艺 | 第21-22页 |
2.3 试样烧结设备及工艺 | 第22页 |
2.4 测试方法 | 第22-25页 |
2.4.1 密度、气孔率测试 | 第22页 |
2.4.2 试样物相分析 | 第22页 |
2.4.3 试样物相含量计算 | 第22-23页 |
2.4.4 试样显微结构分析 | 第23页 |
2.4.5 洛氏硬度测定 | 第23-24页 |
2.4.6 热膨胀系数测定 | 第24-25页 |
第三章 结果与分析 | 第25-53页 |
3.1 Si_2N_2O的制备与表征 | 第25-40页 |
3.1.1 烧结温度对Si_2N_2O致密化的影响 | 第25-28页 |
3.1.2 N_2压力对Si_2N_2O致密化的影响 | 第28-31页 |
3.1.3 Si/SiO_2值对Si_2N_2O致密化的影响 | 第31-34页 |
3.1.4 烧结助剂对Si_2N_2O致密化的影响 | 第34-37页 |
3.1.5 烧结温度对Si_2N_2O性能的影响 | 第37-40页 |
3.2 Si_2N_2O-SiC陶瓷的制备与表征 | 第40-53页 |
3.2.1 烧结温度对Si_2N_2O-SiC陶瓷致密化的影响 | 第40-43页 |
3.2.2 SiC含量对Si_2N_2O-SiC陶瓷致密化的影响 | 第43-44页 |
3.2.3 MgO添加量对Si_2N_2O-SiC陶瓷致密化的影响 | 第44-48页 |
3.2.4 SiC颗粒级配对Si_2N_2O-SiC陶瓷致密化的影响 | 第48-50页 |
3.2.5 SiC大颗粒含量对Si_2N_2O-SiC陶瓷性能的影响 | 第50-53页 |
第四章 结论 | 第53-54页 |
参考文献 | 第54-57页 |
致谢 | 第57-58页 |
发表论文及科研情况 | 第58页 |