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磁性拓扑绝缘体中量子反常霍尔效应的调控

摘要第3-4页
abstract第4页
List of abbreviations第8-10页
Chapter 1 Introduction第10-41页
    1.1 Overview of quantum anomalous Hall (QAH) effect第11-16页
        1.1.1 Phase transition and symmetry breaking第11-12页
        1.1.2 Phase without true long range order第12-13页
        1.1.3 The quantum Hall (QH) effect第13-14页
        1.1.4 The quantum Hall trio第14-16页
    1.2 The expression of topology第16-20页
        1.2.1 General two band model第16-17页
        1.2.2 Winding number第17-20页
    1.3 The effective model of QAH effect第20-23页
        1.3.1 Ferromagnetic two dimensional topological insulators第21-23页
    1.4 Magnetization in topological insulators第23-30页
        1.4.1 Single electron第24页
        1.4.2 The diagonal electron systems第24-27页
        1.4.3 Van-Vleck paramagnetism第27-30页
        1.4.4 Van Vleck mechanism in topological insulators第30页
    1.5 Non-local transport第30-40页
        1.5.1 Landauer equation第31-32页
        1.5.2 Buttiker formula第32-34页
        1.5.3 Three terminal devices第34-35页
        1.5.4 Six terminal devices第35-40页
    1.6 Organization of this thesis第40-41页
Chapter 2 Experimental setup第41-70页
    2.1 Overview of transport measurements第41-43页
    2.2 ~4He Cryostat第43-44页
    2.3 Dilution fridge第44-52页
        2.3.1 Basic working principle第45-48页
        2.3.2 Vacuum chamber第48-49页
        2.3.3 Multistage refrigeration第49-50页
        2.3.4 Pre-cool and condensing第50-51页
        2.3.5 Cold finger第51-52页
    2.4 Electronics and data acquisition第52-53页
    2.5 Sample growth and mounting第53-55页
    2.6 To realize QAH effect experimentally第55-62页
        2.6.1 Topological insulator thin films第56-57页
        2.6.2 Band structure engineering第57-59页
        2.6.3 Magnetically doped topological insulators第59-60页
        2.6.4 Gate tuning of topological insulators第60-62页
    2.7 Typical performance of QAH effect第62-70页
        2.7.1 The evolution of chirality associated with magnetization第62-64页
        2.7.2 Temperature dependence第64-66页
        2.7.3 Effect of external magnetic field第66-67页
        2.7.4 Effect of applied current第67-70页
Chapter 3 Thickness dependence of QAH effect第70-80页
    3.1 Motivation第70-71页
    3.2 Methods and Calibration第71-73页
    3.3 Results第73-75页
    3.4 Discussion and conclusion第75-78页
    3.5 Remarks第78-80页
Chapter 4 The zeroth plateau in QAH effect第80-97页
    4.1 Motivation第80-81页
    4.2 Methods第81-83页
    4.3 Calibration第83-86页
    4.4 Results第86-90页
    4.5 Discussion and conclusion第90-93页
    4.6 Remarks第93-97页
Chapter 5 Tuning edge transport in QAH bilayer第97-113页
    5.1 Motivation第97-98页
    5.2 Methods第98-101页
    5.3 Calibration第101-104页
    5.4 Results第104-109页
    5.5 Discussion and conclusion第109-111页
    5.6 Remarks第111-113页
Chapter 6 Conclusion第113-117页
    6.1 Searching for better MTI for the QAH effect第113-114页
    6.2 Understanding the insight of QAH effect第114-115页
    6.3 Attempting to manipulate the edge transport第115-117页
Reference第117-126页
Acknowledgement第126-129页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第129-130页

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