| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 脉冲功率技术 | 第9-10页 |
| 1.2 功率半导体器件 | 第10-13页 |
| 1.3 SiC RSD器件 | 第13页 |
| 1.4 SiC器件雪崩耐量研究状况 | 第13-14页 |
| 1.5 论文主要内容 | 第14-16页 |
| 2 4H-SiC RSD原理及测试技术 | 第16-28页 |
| 2.1 4H-SiC RSD开通原理 | 第16-18页 |
| 2.2 4H-SiC RSD二维物理模型 | 第18-21页 |
| 2.3 正交设计原理 | 第21-23页 |
| 2.4 雪崩击穿 | 第23-24页 |
| 2.5 测试分析技术 | 第24-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 4H-SiC RSD预充时间及结构优化 | 第28-44页 |
| 3.1 SiC RSD与Si RSD预充时间研究 | 第28-30页 |
| 3.2 SiC RSD结构单因素研究 | 第30-34页 |
| 3.3 正交试验设计 | 第34-39页 |
| 3.4 SiC RSD与Si RSD电热学重频仿真 | 第39-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 4H-SiC RSD制备工艺及特性测试 | 第44-58页 |
| 4.1 SiC RSD制备工艺 | 第44-46页 |
| 4.2 SiC RSD制备测试 | 第46-48页 |
| 4.3 SiC RSD反向预充研究 | 第48-52页 |
| 4.4 SiC RSD芯片预充失效分析 | 第52-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-58页 |
| 5 研究结论与展望 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 附录 攻读硕士学位期间研究成果 | 第67页 |