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Ir20Mn80/Co40Fe40B20双层膜交换偏置效应研究

摘要第4-5页
abstract第5页
引言第8-10页
1 绪论第10-18页
    1.1 交换偏置及其应用领域第10-11页
    1.2 交换偏置理论模型概述第11-14页
        1.2.1 经典模型第11-13页
        1.2.2 平面磁畴壁模型第13页
        1.2.3 随机场模型第13-14页
        1.2.4 其它模型第14页
    1.3 交换偏置国内外研究现状第14-17页
    1.4 本文的研究思路与创新点第17-18页
2 材料制备与研究方法第18-30页
    2.1 材料体系的选取第18页
    2.2 薄膜样品的制备第18-21页
        2.2.1 薄膜制备方法简介第18-19页
        2.2.2 磁控溅射原理第19-20页
        2.2.3 磁控溅射工艺参数第20-21页
    2.3 实验方案与分析测试方法第21-30页
        2.3.1 磁光克尔显微镜第21-23页
        2.3.2 普通透射电子显微镜第23页
        2.3.3 洛伦兹透射电子显微镜第23-26页
        2.3.4 电子全息术简介第26-29页
        2.3.5 聚焦离子束加工方法简介第29-30页
3 薄膜截面磁化过程分析第30-41页
    3.1 宏观磁性能测试第30页
    3.2 薄膜截面样品微观形貌与结构表征第30-31页
    3.3 数值模拟计算第31-33页
    3.4 原位磁化翻转过程第33-35页
    3.5 高分辨率电子全息表征结果第35-39页
    3.6 本章小结第39-41页
4 薄膜面内磁化过程分析第41-52页
    4.1 宏观磁性能测试第41-42页
    4.2 薄膜面内样品微观形貌与结构表征第42-44页
    4.3 原位磁化翻转过程第44-50页
    4.4 模型化分析第50-51页
    4.5 本章小结第51-52页
5 结论第52-53页
参考文献第53-57页
附录A 实验原始数据补充第57-61页
在学研究成果第61-62页
致谢第62-63页

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