摘要 | 第3-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
1 绪论 | 第10-15页 |
1.1 前言 | 第10页 |
1.2 国内外研究现状 | 第10-13页 |
1.2.1 单层过渡金属二硫化物的性质和应用 | 第11-12页 |
1.2.2 单层WS_2的性质和应用 | 第12-13页 |
1.2.3 WS_2和异质结 | 第13页 |
1.3 单层过渡金属二硫化物的制备方法 | 第13-14页 |
1.3.1 液相剥离法 | 第13页 |
1.3.2 CVD法 | 第13页 |
1.3.3 WO_3硫化法 | 第13页 |
1.3.4 三聚氰胺粉法 | 第13-14页 |
1.3.5 电化学法 | 第14页 |
1.3.6 其它制备方法 | 第14页 |
1.4 本论文的研究目的和主要研究内容 | 第14-15页 |
1.4.1 研究目的 | 第14页 |
1.4.2 主要研究内容 | 第14-15页 |
2 理论计算基础简介 | 第15-20页 |
2.1 前言 | 第15页 |
2.2 密度泛函理论介绍 | 第15-16页 |
2.3 几种重要的近似处理 | 第16页 |
2.3.1 绝热近似 | 第16页 |
2.3.2 非相对论近似 | 第16页 |
2.3.3 单电子近似 | 第16页 |
2.4 自洽计算以及结构优化 | 第16-18页 |
2.4.1 Hobenberg-Kohn(HK)定理 | 第17页 |
2.4.2 Kohn-Sham方程 | 第17页 |
2.4.3 交换关联能量泛函 | 第17-18页 |
2.4.4 平面波赝势方法 | 第18页 |
2.5 常用的计算软件介绍 | 第18-19页 |
2.6 本章小结 | 第19-20页 |
3 O掺杂对于单层WS_2的电子结构和能带边缘电位的影响 | 第20-30页 |
3.1 收敛性测试 | 第20-22页 |
3.1.1 前言 | 第20页 |
3.1.2 收敛性测试步骤 | 第20页 |
3.1.3 结果和分析 | 第20-22页 |
3.2 布居值分析 | 第22-24页 |
3.2.1 前言 | 第22页 |
3.2.2 布居值分析 | 第22页 |
3.2.3 结果和分析 | 第22-24页 |
3.3 O掺杂单层WS_2体系的电子结构和能带边缘电位 | 第24-30页 |
3.3.1 前言 | 第24页 |
3.3.2 计算方法介绍 | 第24页 |
3.3.3 单层WS_2的模型图 | 第24页 |
3.3.4 三种不同掺氧浓度WS_2体系的模型图 | 第24-25页 |
3.3.5 三种不同掺氧浓度WS_2体系的能带图 | 第25-26页 |
3.3.6 三种不同掺氧浓度WS_2体系的分波态密度图 | 第26-27页 |
3.3.7 三种不同掺氧浓度WS_2体系的形成能值 | 第27-28页 |
3.3.8 三种不同掺氧浓度WS_2体系的吸收光谱图 | 第28页 |
3.3.9 光催化能带边缘电位图 | 第28-29页 |
3.3.10 本章小结 | 第29-30页 |
4 空位掺杂对于单层WS_2的电子结构和能带边缘电位的影响 | 第30-37页 |
4.1 前言 | 第30页 |
4.2 计算过程 | 第30页 |
4.3 空位结构的模型图 | 第30页 |
4.4 空位结构的形成能分析 | 第30-31页 |
4.5 优化后晶格参数变化 | 第31页 |
4.6 能带计算 | 第31-33页 |
4.7 态密度分布图 | 第33-34页 |
4.8 吸收光谱图 | 第34-35页 |
4.9 光催化能带边缘电位图 | 第35页 |
4.10 本章小结 | 第35-37页 |
5 过渡金属掺杂对于单层WS_2的电子结构和能带边缘电位的影响 | 第37-44页 |
5.1 前言 | 第37页 |
5.2 计算过程 | 第37页 |
5.3 金属掺杂结构的模型图 | 第37页 |
5.4 掺杂态形成能 | 第37-38页 |
5.5 优化后晶格比较图 | 第38页 |
5.6 能带结构图 | 第38-40页 |
5.7 态密度分布图 | 第40-41页 |
5.8 吸光光谱图 | 第41-42页 |
5.9 光催化能带边缘电位图 | 第42-43页 |
5.10 本章小结 | 第43-44页 |
6 结论和展望 | 第44-46页 |
6.1 结论 | 第44-45页 |
6.2 展望 | 第45-46页 |
致谢 | 第46-47页 |
参考文献 | 第47-53页 |
附录 | 第53页 |
A. 作者在攻读硕士期间(拟)发表的论文 | 第53页 |