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缺陷单层WS2的电子结构和光催化析氢性能理论研究

摘要第3-5页
ABSTRACT第5-6页
1 绪论第10-15页
    1.1 前言第10页
    1.2 国内外研究现状第10-13页
        1.2.1 单层过渡金属二硫化物的性质和应用第11-12页
        1.2.2 单层WS_2的性质和应用第12-13页
        1.2.3 WS_2和异质结第13页
    1.3 单层过渡金属二硫化物的制备方法第13-14页
        1.3.1 液相剥离法第13页
        1.3.2 CVD法第13页
        1.3.3 WO_3硫化法第13页
        1.3.4 三聚氰胺粉法第13-14页
        1.3.5 电化学法第14页
        1.3.6 其它制备方法第14页
    1.4 本论文的研究目的和主要研究内容第14-15页
        1.4.1 研究目的第14页
        1.4.2 主要研究内容第14-15页
2 理论计算基础简介第15-20页
    2.1 前言第15页
    2.2 密度泛函理论介绍第15-16页
    2.3 几种重要的近似处理第16页
        2.3.1 绝热近似第16页
        2.3.2 非相对论近似第16页
        2.3.3 单电子近似第16页
    2.4 自洽计算以及结构优化第16-18页
        2.4.1 Hobenberg-Kohn(HK)定理第17页
        2.4.2 Kohn-Sham方程第17页
        2.4.3 交换关联能量泛函第17-18页
        2.4.4 平面波赝势方法第18页
    2.5 常用的计算软件介绍第18-19页
    2.6 本章小结第19-20页
3 O掺杂对于单层WS_2的电子结构和能带边缘电位的影响第20-30页
    3.1 收敛性测试第20-22页
        3.1.1 前言第20页
        3.1.2 收敛性测试步骤第20页
        3.1.3 结果和分析第20-22页
    3.2 布居值分析第22-24页
        3.2.1 前言第22页
        3.2.2 布居值分析第22页
        3.2.3 结果和分析第22-24页
    3.3 O掺杂单层WS_2体系的电子结构和能带边缘电位第24-30页
        3.3.1 前言第24页
        3.3.2 计算方法介绍第24页
        3.3.3 单层WS_2的模型图第24页
        3.3.4 三种不同掺氧浓度WS_2体系的模型图第24-25页
        3.3.5 三种不同掺氧浓度WS_2体系的能带图第25-26页
        3.3.6 三种不同掺氧浓度WS_2体系的分波态密度图第26-27页
        3.3.7 三种不同掺氧浓度WS_2体系的形成能值第27-28页
        3.3.8 三种不同掺氧浓度WS_2体系的吸收光谱图第28页
        3.3.9 光催化能带边缘电位图第28-29页
        3.3.10 本章小结第29-30页
4 空位掺杂对于单层WS_2的电子结构和能带边缘电位的影响第30-37页
    4.1 前言第30页
    4.2 计算过程第30页
    4.3 空位结构的模型图第30页
    4.4 空位结构的形成能分析第30-31页
    4.5 优化后晶格参数变化第31页
    4.6 能带计算第31-33页
    4.7 态密度分布图第33-34页
    4.8 吸收光谱图第34-35页
    4.9 光催化能带边缘电位图第35页
    4.10 本章小结第35-37页
5 过渡金属掺杂对于单层WS_2的电子结构和能带边缘电位的影响第37-44页
    5.1 前言第37页
    5.2 计算过程第37页
    5.3 金属掺杂结构的模型图第37页
    5.4 掺杂态形成能第37-38页
    5.5 优化后晶格比较图第38页
    5.6 能带结构图第38-40页
    5.7 态密度分布图第40-41页
    5.8 吸光光谱图第41-42页
    5.9 光催化能带边缘电位图第42-43页
    5.10 本章小结第43-44页
6 结论和展望第44-46页
    6.1 结论第44-45页
    6.2 展望第45-46页
致谢第46-47页
参考文献第47-53页
附录第53页
    A. 作者在攻读硕士期间(拟)发表的论文第53页

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