中文摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-16页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 有机光电子器件及其界面 | 第11-14页 |
1.3 本课题的研究目的与内容 | 第14-16页 |
第二章 界面性质及其表征方法 | 第16-30页 |
2.1 界面性质 | 第16-19页 |
2.1.1 真空能级和功函数 | 第16-18页 |
2.1.2 界面能级排列 | 第18-19页 |
2.2 界面偶极子 | 第19-21页 |
2.3 界面表征方法 | 第21-30页 |
2.3.1 紫外光电子能谱 | 第21-23页 |
2.3.2 X射线光电子能谱 | 第23-25页 |
2.3.3 低能电子衍射 | 第25-28页 |
2.3.4 X射线驻波技术 | 第28-30页 |
第三章 PTCDI与金属单晶界面性质研究 | 第30-55页 |
3.1 实验方法 | 第31-36页 |
3.2 实验结果与讨论 | 第36-52页 |
3.2.1 PTCDI在金属单晶界面ARUPS研究 | 第36-44页 |
3.2.2 PTCDI在金属单晶界面XPS研究 | 第44-48页 |
3.2.3 PTCDI在金属单晶界面LEED研究 | 第48-51页 |
3.2.4 PTCDI在金属单晶界面XSW研究 | 第51-52页 |
3.3 本章小结 | 第52-55页 |
第四章 分子形状结构对于界面耦合的影响 | 第55-67页 |
4.1 实验方法 | 第56页 |
4.2 实验结果与讨论 | 第56-64页 |
4.2.1 二萘品苯在金属单晶界面ARUPS研究 | 第56-61页 |
4.2.2 二萘品苯在金属单晶界面LEED研究 | 第61-64页 |
4.3 本章小结 | 第64-67页 |
第五章 有机-有机异质结性质研究 | 第67-87页 |
5.1 实验方法 | 第68-69页 |
5.2 实验结果与讨论 | 第69-84页 |
5.2.1 CuPc,P2O,P4O在Ag (111)上的性质 | 第69-76页 |
5.2.2 CuPc/P4O/Ag (111)界面性质研究 | 第76-80页 |
5.2.3 CuPc/P2O/Ag (111)界面性质研究 | 第80-84页 |
5.3 本章小结 | 第84-87页 |
第六章 总结与展望 | 第87-90页 |
6.1 全文总结 | 第87-88页 |
6.2 工作展望 | 第88-90页 |
参考文献 | 第90-102页 |
攻读学位期间本人出版或公开发布的论著、论文 | 第102-103页 |
致谢 | 第103页 |