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钌铁系列铌酸锂晶体光折变及非挥发存储性能研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第13-30页
    1.1 课题背景及研究目的第13-14页
    1.2 光折变效应第14-15页
    1.3 光学体全息存储第15-21页
        1.3.1 光学体全息存储基本原理第15-17页
        1.3.2 光学体全息存储的研究进展第17-18页
        1.3.3 体全息存储的固定技术第18-21页
    1.4 铌酸锂晶体研究进展第21-28页
        1.4.1 铌酸锂晶体化学计量比组分的偏离第21-22页
        1.4.2 铌酸锂晶体的结构第22-23页
        1.4.3 铌酸锂晶体的本征缺陷第23-24页
        1.4.4 铌酸锂晶体的能级结构第24-25页
        1.4.5 铌酸锂晶体的非本征缺陷第25-28页
    1.5 本论文主要研究内容第28-30页
第2章 实验材料及实验方法第30-45页
    2.1 掺杂元素的选择第30页
    2.2 晶体生长第30-37页
    2.3 晶体组分及结构测试第37-40页
        2.3.1 ICP-AES 测试第37-38页
        2.3.2 晶体光学均匀性测试第38-39页
        2.3.3 红外光谱测试第39页
        2.3.4 紫外可见吸收光谱测试第39页
        2.3.5 X 射线衍射测试第39-40页
    2.4 光学性能测试第40-45页
        2.4.1 光折变性能第40-41页
        2.4.2 抗光致散射性能第41-42页
        2.4.3 非挥发存储性能第42-43页
        2.4.4 光致吸收测试第43-44页
        2.4.5 图像存储实验第44-45页
第3章 钌铁系列铌酸锂晶体成分及微观结构第45-65页
    3.1 引言第45页
    3.2 晶体的成分第45-48页
    3.3 晶体的光学均匀性第48-49页
    3.4 晶体的红外光谱及其分析第49-55页
    3.5 晶体的紫外可见吸收光谱及其分析第55-60页
    3.6 晶体的 X-射线衍射及其分析第60-63页
    3.7 本章小结第63-65页
第4章 钌铁系列铌酸锂晶体光折变性能研究第65-83页
    4.1 引言第65-66页
    4.2 光折变性能参数第66-69页
        4.2.1 衍射效率第66页
        4.2.2 时间常数第66-67页
        4.2.3 光电导第67-68页
        4.2.4 灵敏度第68页
        4.2.5 动态范围第68-69页
    4.3 实验结果与分析第69-82页
    4.4 本章小结第82-83页
第5章 钌铁系列铌酸锂晶体抗光致散射性能研究第83-95页
    5.1 引言第83-84页
    5.2 透射光斑畸变测试晶体的抗光致光散射性能第84-87页
    5.3 曝光能量流测试晶体的抗光致光散射性能第87-94页
    5.4 本章小结第94-95页
第6章 钌铁系列铌酸锂晶体非挥发存储性能研究第95-106页
    6.1 引言第95页
    6.2 非挥发全息存储的主要参数第95-96页
    6.3 实验结果与分析第96-104页
        6.3.1 载流子类型第96-97页
        6.3.2 光致吸收特性第97-99页
        6.3.3 非挥发存储性能第99-103页
        6.3.4 图像存储实验第103-104页
    6.4 本章小结第104-106页
结论第106-107页
创新点第107页
展望第107-108页
参考文献第108-120页
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果第120-122页
致谢第122-123页
个人简历第123页

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