摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章. 绪论 | 第11-29页 |
1.1. 前言 | 第11页 |
1.2. 金刚石薄膜的结构和性能 | 第11-17页 |
1.2.1. 金刚石的结构 | 第12-13页 |
1.2.2. 金刚石的力学性质及应用 | 第13-14页 |
1.2.3. 金刚石的热学性质及应用 | 第14-15页 |
1.2.4. 金刚石的光学性质及应用 | 第15-16页 |
1.2.5. 金刚石的电学性能及应用 | 第16-17页 |
1.2.6. 金刚石的化学性质及应用 | 第17页 |
1.3. CVD金刚石膜沉积机理 | 第17-19页 |
1.4. CVD金刚石膜制备技术的发展概况 | 第19-21页 |
1.5. CVD金刚石膜的应用 | 第21-24页 |
1.6. 微波等离子体谐振腔的主要类型 | 第24-27页 |
1.7. 本课题研究目的及意义 | 第27-29页 |
第2章. 实验装置与表征手段 | 第29-37页 |
2.1. 微波等离子体化学气相沉积装置 | 第29-33页 |
2.1.1. 2kW-MPCVD装置 | 第29-31页 |
2.1.2. 实验室新型10kW-MPCVD装置 | 第31-33页 |
2.2. 金刚石的表征手段 | 第33-37页 |
2.2.1. 光学金相显微镜 | 第33-34页 |
2.2.2. 扫描电子显微镜 | 第34页 |
2.2.3. 激光拉曼光谱 | 第34-35页 |
2.2.4. X射线衍射 | 第35-37页 |
第3章. 形核密度与氢等离子体对高取向金刚石膜生长的影响 | 第37-45页 |
3.1. 形核密度与氢处理对沉积高取向金刚石膜表面形貌的研究 | 第38-40页 |
3.2. 形核密度与氢处理对沉积高取向金刚石膜取向的研究 | 第40-42页 |
3.3. 形核密度与氢处理对沉积高取向金刚石膜质量的研究 | 第42-43页 |
3.4. 本章小结 | 第43-45页 |
第4章. 甲烷浓度与基片温度对高取向金刚石膜生长的影响 | 第45-55页 |
4.1. 甲烷浓度与基片温度对沉积高取向金刚石膜表面形貌的研究 | 第46-48页 |
4.2. 甲烷浓度与基片温度对沉积高取向金刚石膜取向的研究 | 第48-51页 |
4.3. 甲烷浓度与基片温度对沉积高取向金刚石膜质量的研究 | 第51-53页 |
4.4. 本章小结 | 第53-55页 |
第5章. 圆柱形多模谐振腔式MPCVD装置的改进 | 第55-61页 |
5.1. 前期实验中遇到的主要问题 | 第55页 |
5.2. MPCVD装置的改进方案 | 第55-60页 |
5.2.1. 天线结构的改进 | 第55-57页 |
5.2.2. 水冷系统的改进 | 第57-59页 |
5.2.3. 腔体内气体流向的改进 | 第59-60页 |
5.3. 本章小结 | 第60-61页 |
第6章. 全文的总结及展望 | 第61-63页 |
参考文献 | 第63-70页 |
攻读硕士期间已发表的论文 | 第70-71页 |
致谢 | 第71页 |