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MPCVD法制备高取向金刚石膜及设备改进的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章. 绪论第11-29页
    1.1. 前言第11页
    1.2. 金刚石薄膜的结构和性能第11-17页
        1.2.1. 金刚石的结构第12-13页
        1.2.2. 金刚石的力学性质及应用第13-14页
        1.2.3. 金刚石的热学性质及应用第14-15页
        1.2.4. 金刚石的光学性质及应用第15-16页
        1.2.5. 金刚石的电学性能及应用第16-17页
        1.2.6. 金刚石的化学性质及应用第17页
    1.3. CVD金刚石膜沉积机理第17-19页
    1.4. CVD金刚石膜制备技术的发展概况第19-21页
    1.5. CVD金刚石膜的应用第21-24页
    1.6. 微波等离子体谐振腔的主要类型第24-27页
    1.7. 本课题研究目的及意义第27-29页
第2章. 实验装置与表征手段第29-37页
    2.1. 微波等离子体化学气相沉积装置第29-33页
        2.1.1. 2kW-MPCVD装置第29-31页
        2.1.2. 实验室新型10kW-MPCVD装置第31-33页
    2.2. 金刚石的表征手段第33-37页
        2.2.1. 光学金相显微镜第33-34页
        2.2.2. 扫描电子显微镜第34页
        2.2.3. 激光拉曼光谱第34-35页
        2.2.4. X射线衍射第35-37页
第3章. 形核密度与氢等离子体对高取向金刚石膜生长的影响第37-45页
    3.1. 形核密度与氢处理对沉积高取向金刚石膜表面形貌的研究第38-40页
    3.2. 形核密度与氢处理对沉积高取向金刚石膜取向的研究第40-42页
    3.3. 形核密度与氢处理对沉积高取向金刚石膜质量的研究第42-43页
    3.4. 本章小结第43-45页
第4章. 甲烷浓度与基片温度对高取向金刚石膜生长的影响第45-55页
    4.1. 甲烷浓度与基片温度对沉积高取向金刚石膜表面形貌的研究第46-48页
    4.2. 甲烷浓度与基片温度对沉积高取向金刚石膜取向的研究第48-51页
    4.3. 甲烷浓度与基片温度对沉积高取向金刚石膜质量的研究第51-53页
    4.4. 本章小结第53-55页
第5章. 圆柱形多模谐振腔式MPCVD装置的改进第55-61页
    5.1. 前期实验中遇到的主要问题第55页
    5.2. MPCVD装置的改进方案第55-60页
        5.2.1. 天线结构的改进第55-57页
        5.2.2. 水冷系统的改进第57-59页
        5.2.3. 腔体内气体流向的改进第59-60页
    5.3. 本章小结第60-61页
第6章. 全文的总结及展望第61-63页
参考文献第63-70页
攻读硕士期间已发表的论文第70-71页
致谢第71页

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