二维硅纳米模具的制作工艺研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| ·细胞离子通道的仿生学 | 第9-12页 |
| ·本文的研究背景 | 第12-18页 |
| ·纳流控芯片和二维纳米沟道 | 第12-13页 |
| ·纳米制作工艺的发展概况 | 第13-15页 |
| ·侧墙技术的发展概况 | 第15-18页 |
| ·本文的研究意义和主要研究内容 | 第18-19页 |
| 2 侧墙技术方案 | 第19-32页 |
| ·侧墙技术方案设计 | 第19-22页 |
| ·光刻 | 第22-28页 |
| ·实验设备 | 第22页 |
| ·掩膜版设计 | 第22-23页 |
| ·光刻参数优化 | 第23-28页 |
| ·氧等离子体去胶 | 第28-29页 |
| ·王水去金 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-32页 |
| 3 溅射与溅射刻蚀 | 第32-39页 |
| ·溅射 | 第32-36页 |
| ·磁控溅射理论 | 第32-33页 |
| ·溅射参数选择和优化 | 第33-36页 |
| ·溅射设备与实验 | 第36页 |
| ·溅射刻蚀 | 第36-38页 |
| ·溅射刻蚀原理 | 第36-37页 |
| ·溅射刻蚀实验 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 4 深反应离子刻蚀 | 第39-55页 |
| ·深反应离子刻蚀原理 | 第39-40页 |
| ·实验设备 | 第40-41页 |
| ·侧壁粗糙度的优化 | 第41-49页 |
| ·刻蚀/钝化循环周期的优化 | 第42-44页 |
| ·反应腔压力的优化 | 第44页 |
| ·SF_6/O_2下电极功率的优化 | 第44-46页 |
| ·O_2流量的优化 | 第46-49页 |
| ·长"草"及除"草"的机理及优化 | 第49-54页 |
| ·长"草"的机理及条件 | 第49-50页 |
| ·除"草"的机理 | 第50-51页 |
| ·除"草"实验及工艺参数优化 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
