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HWCVD制备氢化非晶硅和氢化非晶氧化硅对晶体硅表面的钝化性能研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第一章 绪论第8-18页
    1.1 晶体硅异质结太阳电池概述第8-10页
    1.2 氢化非晶硅薄膜的研究现状第10-15页
        1.2.1 非晶硅薄膜的简况第10页
        1.2.2 氢化非晶硅的结构与性能第10-14页
        1.2.3 氢化非晶硅薄膜的制备方法第14-15页
    1.3 椭圆偏振光谱仪的研究现状第15-17页
        1.3.1 椭偏仪的发展简况第15-16页
        1.3.2 椭偏分析的特性第16-17页
    1.4 本论文研究目的与主要内容第17-18页
第二章 氢化非晶硅薄膜的制备及表征方法第18-26页
    2.1 引言第18页
    2.2 实验过程与方法第18-22页
        2.2.1 实验材料与式样第18-19页
        2.2.2 实验设备第19-20页
        2.2.3 样品准备与实验过程第20-22页
    2.3 薄膜性能表征方法第22-26页
        2.3.1 椭圆偏振光法第22-24页
        2.3.2 傅立叶红外光谱法第24-25页
        2.3.3 WCT-120少子寿命测试仪第25-26页
第三章 氢化非晶硅薄膜的Si-H组态及椭圆偏振光谱法研究第26-52页
    3.1 引言第26页
    3.2 a-Si:H薄膜微结构及其钝化机理分析第26-44页
        3.2.1 沉积气压的影响第26-33页
        3.2.2 热丝电流的影响第33-36页
        3.2.3 衬底温度的影响第36-41页
        3.2.4 H_2稀释比的影响第41-44页
        3.2.5 a-Si:H薄膜分析小结第44页
    3.3 a-SiO_x:H薄膜微结构及其钝化机理分析第44-52页
        3.3.1 热丝电流的影响第45-48页
        3.3.2 不同SiH_4流量的影响第48-51页
        3.3.3 α-SiO_x:H薄膜分析总结第51-52页
第四章 总结与展望第52-54页
    4.1 研究结论第52-53页
    4.2 展望第53-54页
致谢第54-55页
参考文献第55-58页
攻读学位期间的研究成果第58页

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