| 摘要 | 第2-3页 |
| abstract | 第3页 |
| 第一章 绪论 | 第6-25页 |
| 1.1 引言 | 第6页 |
| 1.2 石墨烯概述 | 第6-17页 |
| 1.2.1 石墨烯结构 | 第6-7页 |
| 1.2.2 石墨烯性质 | 第7-10页 |
| 1.2.3 石墨烯的制备方法 | 第10-14页 |
| 1.2.4 石墨烯的应用 | 第14-17页 |
| 1.3 石墨烯打开带隙的方法 | 第17-23页 |
| 1.3.1 掺杂打开石墨烯带隙 | 第18-19页 |
| 1.3.2 利用量子限制效应打开带隙 | 第19-23页 |
| 1.3.3 外延生长法 | 第23页 |
| 1.3.4 外加电场调解法 | 第23页 |
| 1.4 本文选题依据和主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 利用铬掩膜制备亚10纳米石墨烯精细结构 | 第25-34页 |
| 2.1 引言 | 第25页 |
| 2.2 仪器介绍 | 第25-26页 |
| 2.3 样品制备及实验原理 | 第26-27页 |
| 2.4 实验参数的优化 | 第27-32页 |
| 2.4.1 石墨烯的制备及表征 | 第27-29页 |
| 2.4.2 Cr质量膜工艺的研究 | 第29-30页 |
| 2.4.3 Cr掩膜的去除 | 第30-31页 |
| 2.4.4 石墨烯尺寸与氧等离子体刻蚀时间的关系 | 第31-32页 |
| 2.5 亚10nm石墨烯精细结构的制备 | 第32-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 Cr掩膜对石墨烯掺杂的改善 | 第34-39页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 石墨烯掺杂类型的检测 | 第35页 |
| 3.3 不同方法检测Cr掩膜对石墨烯掺杂的影响 | 第35-38页 |
| 3.3.1 Cr,PMMA掩膜处理后石墨烯的拉曼光谱对比 | 第35-36页 |
| 3.3.2 Cr,PMMA掩膜制备石墨烯FET器件的电学性质对比 | 第36-37页 |
| 3.3.3 具有特殊反点阵结构石墨烯的电学性能 | 第37-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 石墨烯单排孔结构对石墨烯带隙的调控研究 | 第39-45页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 实验设计及实验方法 | 第39-42页 |
| 4.2.1 综合物性测量系统(PPMS)及外接电路 | 第39-41页 |
| 4.2.2 实验方法 | 第41-42页 |
| 4.3 石墨烯单排孔结构对带隙的调控作用 | 第42-43页 |
| 4.3.1 理论分析 | 第42-43页 |
| 4.3.2 实验研究 | 第43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第五章 一种利用磁辅助机械拉伸制备连续微纳米磁性纤维的方法 | 第45-54页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 实验方法 | 第45-47页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第47-53页 |
| 5.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-64页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
