| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 钙钛矿型氧化物薄膜 | 第10-12页 |
| 1.2 LaAlO_3/SrTiO_3界面二维电子气 | 第12-18页 |
| 1.2.1 LaAlO_3/SrTiO_3界面二维电子气的发现及特征 | 第12-15页 |
| 1.2.2 LaAlO_3/SrTiO_3界面二维电子气的起源 | 第15-18页 |
| 1.3 层状钙钛矿氧化物(Ruddlesden-Popper,RP) | 第18-21页 |
| 1.3.1 RP型氧化物的结构与性质 | 第18-19页 |
| 1.3.2 RP型氧化物的层间调控 | 第19-21页 |
| 1.4 本论文的研究目的与内容 | 第21-22页 |
| 1.5 本章参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 实验方法 | 第26-38页 |
| 2.1 氧化物分子束外延(OMBE)技术 | 第26-28页 |
| 2.2 反射高能电子衍射仪(RHEED) | 第28-31页 |
| 2.2.1 RHEED机理 | 第28-30页 |
| 2.2.2 生长过程的RHEED振荡 | 第30-31页 |
| 2.3 衬底的表面处理及回收使用 | 第31-32页 |
| 2.4 X射线衍射(XRD) | 第32-33页 |
| 2.5 原子力显微镜 | 第33-34页 |
| 2.6 电学输运性质表征 | 第34-35页 |
| 2.7 本章小结 | 第35页 |
| 2.8 本章参考文献 | 第35-38页 |
| 第三章 钙钛矿薄膜的分子束外延生长方法探索 | 第38-52页 |
| 3.1 钙钛矿薄膜的生长 | 第38-43页 |
| 3.1.1 SrTiO_3生长-逐层模式 | 第39-40页 |
| 3.1.2 LaAlO_3生长-共沉积模式 | 第40-41页 |
| 3.1.3 现有方法的存在的问题 | 第41-43页 |
| 3.2 基于共沉积的新的高效校准方法 | 第43-47页 |
| 3.2.1 SrTiO_3为模板的新的校准方法 | 第43-47页 |
| 3.2.2 新的共沉积校准方法在其它薄膜生长中的应用 | 第47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 3.4 本章参考文献 | 第49-52页 |
| 第四章 STORP薄膜的生长与LAO/STORP界面的二维电子气 | 第52-60页 |
| 4.1 STORP(Sr_(n+1)Ti_nO_(3n+1))薄膜的制备 | 第52-56页 |
| 4.2 LAO/STORP异质结的输运性质 | 第56-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 4.4 参考文献 | 第59-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
