| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-28页 |
| 1.1 中国散裂中子源及多功能反射谱仪 | 第11-23页 |
| 1.1.1 散裂中子源简介 | 第11-15页 |
| 1.1.2 散裂中子源研究现状 | 第15-16页 |
| 1.1.3 中国散裂中子源简介 | 第16-19页 |
| 1.1.4 多功能反射谱仪简介 | 第19-21页 |
| 1.1.5 多功能反射谱仪屏蔽需求 | 第21-22页 |
| 1.1.6 屏蔽计算中的问题和解决方案 | 第22-23页 |
| 1.2 ADS工程简介 | 第23-28页 |
| 1.2.1 ADS简介 | 第23-25页 |
| 1.2.2 ADS的研究现状 | 第25-27页 |
| 1.2.3 ADS中子学研究的意义 | 第27-28页 |
| 第二章 反射谱仪屏蔽模拟设计所涉及的相关基础理论和模拟程序简介 | 第28-44页 |
| 2.1 中子与物质的相互作用 | 第28-32页 |
| 2.2 光子与物质的相互作用 | 第32-34页 |
| 2.4 屏蔽设计中的剂量及剂量计算方法 | 第34-38页 |
| 2.4.1 剂量 | 第34-36页 |
| 2.4.2 剂量计算方法 | 第36-38页 |
| 2.5 我国现行的辐射防护标准 | 第38-39页 |
| 2.6 屏蔽材料 | 第39-42页 |
| 2.6.1 混凝土 | 第40-41页 |
| 2.6.2 钢 | 第41-42页 |
| 2.7 粒子输运蒙特卡洛模拟程序简介 | 第42-44页 |
| 2.7.1 MCNPX 2.5.0程序简介 | 第42页 |
| 2.7.2 FLUKA程序简介 | 第42-44页 |
| 第三章 多功能反射谱仪模拟模型建立及减方差方法研究 | 第44-66页 |
| 3.1 多功能反射谱仪屏蔽模拟设计中的问题及处理方法 | 第44页 |
| 3.2 多功能反射谱仪屏蔽几何及材料模型 | 第44-54页 |
| 3.2.1 中子传输段几何及材料模型 | 第44-49页 |
| 3.2.2 第二中子开关(shutter-2)几何及材料模型 | 第49-50页 |
| 3.2.3 散射室几何及材料模型 | 第50-54页 |
| 3.3 材料的相关说明 | 第54-55页 |
| 3.4 辐射源项 | 第55-58页 |
| 3.4.1 耦合液氢慢化器(20K)泄漏中子源项 | 第56页 |
| 3.4.2 沿中子导管泄漏冷、热中子源项 | 第56-58页 |
| 3.4.3 入射到第二中子开关和进入散射室的冷、热中子源项 | 第58页 |
| 3.5 方差减小方法 | 第58-66页 |
| 3.5.1 方差减小方法简介 | 第58-59页 |
| 3.5.2 合理利用方差减小方法的意义 | 第59-64页 |
| 3.5.3 多功能反射谱仪屏蔽计算中的方差减小方法 | 第64-66页 |
| 第四章 多功能反射谱仪屏蔽体模拟设计 | 第66-86页 |
| 4.1 屏蔽计算中考虑的工况 | 第66-67页 |
| 4.2 中子束流传输段屏蔽的模拟与设计结果 | 第67-69页 |
| 4.3 中子束流传输段屏蔽内低碳钢用量优化 | 第69-70页 |
| 4.4 第二中子开关关闭时的屏蔽模拟与设计结果 | 第70-72页 |
| 4.5 散射室屏蔽模拟与设计结果 | 第72-79页 |
| 4.5.1 束流垃圾桶屏蔽 | 第72-73页 |
| 4.5.2 散射室屏蔽墙 | 第73-77页 |
| 4.5.3 散射室门 | 第77-79页 |
| 4.6 小角散射谱仪对多功能反射谱仪屏蔽的影响 | 第79-81页 |
| 4.6.1 几何及材料模型建立 | 第79-80页 |
| 4.6.2 辐射源项与计算方法 | 第80页 |
| 4.6.3 模拟结果与结论 | 第80-81页 |
| 4.7 多功能反射谱仪屏蔽计算结果检验 | 第81-83页 |
| 4.7.1 几何模型 | 第81-82页 |
| 4.7.2 辐射源项和计算方法 | 第82页 |
| 4.7.3 计算结果 | 第82-83页 |
| 4.7.4 结论 | 第83页 |
| 4.8 多功能反射谱仪屏蔽设计方案 | 第83-86页 |
| 第五章 加速器驱动次临界堆(ADS)中子学研究 | 第86-115页 |
| 5.1 内容简介 | 第86页 |
| 5.2 源质子效率 | 第86-92页 |
| 5.3 能量增益 | 第92-93页 |
| 5.4 径向峰功率因子和轴向峰功率因子 | 第93页 |
| 5.5 非均匀次临界堆与均匀次临界堆的模型比较研究 | 第93-108页 |
| 5.5.1 模型建立 | 第93-98页 |
| 5.5.2 模拟结果及讨论 | 第98-108页 |
| 5.6 中子学参数计算结果 | 第108-112页 |
| 5.6.1 模型建立 | 第108-109页 |
| 5.6.2 模拟结果与讨论 | 第109-112页 |
| 5.7 结论 | 第112-115页 |
| 第六章 ADS屏蔽初步研究 | 第115-123页 |
| 6.1 内容简介 | 第115页 |
| 6.2 ADS次临界堆模型与中子学参数 | 第115-116页 |
| 6.3 中子源项与计算方法 | 第116-118页 |
| 6.4 次临界堆顶部屏蔽体模型与计算结果 | 第118-120页 |
| 6.5 次临界堆底部屏蔽体模型与计算结果 | 第120-122页 |
| 6.6 结论 | 第122-123页 |
| 第七章 总结与展望 | 第123-125页 |
| 7.1 总论 | 第123-124页 |
| 7.2 展望 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-130页 |
| 在学期间的研究成果 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131页 |
