| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-46页 |
| 1.1 表面浸润性基础理论 | 第13-16页 |
| 1.1.1 接触角与杨氏方程 | 第13页 |
| 1.1.2 Wenzel和Cassie-Baxter模型 | 第13-16页 |
| 1.2 微纳米尺度浸润性 | 第16-24页 |
| 1.2.1 微纳米尺度液体分散方法 | 第16-19页 |
| 1.2.2 微纳米尺度液体观测方法 | 第19-24页 |
| 1.3 超疏水表面 | 第24-25页 |
| 1.3.1 超疏水表面制备方法 | 第24-25页 |
| 1.3.2 超疏水表面的应用 | 第25页 |
| 1.4 电浸润效应 | 第25-28页 |
| 1.4.1 电浸润的原理 | 第25-26页 |
| 1.4.2 电浸润的应用 | 第26-28页 |
| 1.5 纳米压印技术 | 第28-31页 |
| 1.5.1 纳米压印技术的分类 | 第29-30页 |
| 1.5.2 纳米压印技术的应用 | 第30-31页 |
| 1.6 本文的立题思想 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-46页 |
| 第二章 微纳米尺度紫外光固化材料液体浸润性研究 | 第46-79页 |
| 2.1 引言 | 第46-47页 |
| 2.2 实验部分 | 第47-53页 |
| 2.2.1 实验材料与仪器 | 第47-48页 |
| 2.2.2 纳米阵列结构的制备及表面化学处理 | 第48-52页 |
| 2.2.3 微纳米尺度紫外光固化液体浸润形貌的观测 | 第52-53页 |
| 2.3 结果与分析 | 第53-70页 |
| 2.3.1 纳米阵列结构 | 第53-56页 |
| 2.3.2 双转移法研究微纳米尺度紫外光固化液体浸润性 | 第56-70页 |
| 2.4 基于纳米阵列表面液体浸润性研究的应用 | 第70-75页 |
| 2.4.1 无残余层紫外纳米压印工艺中表面自由能分析 | 第71-73页 |
| 2.4.2 双转移紫外纳米压印制备超小线宽纳米环阵列 | 第73-75页 |
| 2.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 第三章 微纳米尺度冷凝水滴在纳米结构表面浸润性研究 | 第79-102页 |
| 3.1 引言 | 第79-81页 |
| 3.2 实验部分 | 第81-86页 |
| 3.2.1 实验材料与仪器 | 第81-82页 |
| 3.2.2 纳米阵列结构的制备及表面化学处理 | 第82-85页 |
| 3.2.3 微纳尺度冷凝水滴形貌观测 | 第85-86页 |
| 3.3 结果与分析 | 第86-98页 |
| 3.3.1 纳米阵列结构 | 第86-88页 |
| 3.3.2 微纳米尺度冷凝水滴浸润性 | 第88-98页 |
| 3.4 本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第四章 基于纳米压印技术的超疏水表面制备 | 第102-117页 |
| 4.1 引言 | 第102-104页 |
| 4.2 实验部分 | 第104-108页 |
| 4.2.1 实验材料与仪器 | 第104-105页 |
| 4.2.2 超疏水抗反射黑硅的制备 | 第105-106页 |
| 4.2.3 超疏水聚合物纳米阵列的制备 | 第106-107页 |
| 4.2.4 超疏水性能表征和光学性能表征 | 第107-108页 |
| 4.3 结果与分析 | 第108-114页 |
| 4.3.1 抗反射超疏水硅纳米沟槽阵列 | 第108-110页 |
| 4.3.2 超疏水含氟聚合物纳米阵列 | 第110-114页 |
| 4.4 本章小结 | 第114页 |
| 参考文献 | 第114-117页 |
| 第五章 纳米阵列结构表面电浸润研究 | 第117-130页 |
| 5.1 引言 | 第117-118页 |
| 5.2 实验部分 | 第118-120页 |
| 5.2.1 实验材料与仪器 | 第118-119页 |
| 5.2.2 纳米阵列结构的制备 | 第119页 |
| 5.2.3 纳米阵列结构的电浸润性质表征 | 第119-120页 |
| 5.3 结果与分析 | 第120-127页 |
| 5.3.1 光滑平面 | 第120-124页 |
| 5.3.2 纳米阵列结构 | 第124-125页 |
| 5.3.3 纳米阵列结构的电浸润性质 | 第125-127页 |
| 5.4 本章小结 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-130页 |
| 第六章 结论和展望 | 第130-132页 |
| 博士期间学位期间的成果 | 第132-133页 |
| 一、国内外刊物上发表的文章（含待发表的文章） | 第132页 |
| 二、申请的专利 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
