| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-21页 |
| 1.1.1 纳米金刚石薄膜的发展 | 第9-13页 |
| 1.1.2 纳米金刚石薄膜生长的一般规律 | 第13-19页 |
| 1.1.3 Ti-SiN 类纳米复合薄膜的研究 | 第19-21页 |
| 1.2 存在的问题 | 第21-22页 |
| 1.3 课题研究的内容、目的及意义 | 第22-24页 |
| 第2章 理论方法与工具 | 第24-32页 |
| 2.1 理论简介 | 第24-25页 |
| 2.1.1 第一性原理计算 | 第24-25页 |
| 2.1.2 密度泛涵理论 | 第25页 |
| 2.2 研究工具 | 第25-28页 |
| 2.2.1 VASP 软件包概述 | 第25-26页 |
| 2.2.2 微波等离子体化学气相沉积 | 第26-28页 |
| 2.3 计算描述 | 第28-32页 |
| 2.3.1 计算流程 | 第28-29页 |
| 2.3.2 计算关系 | 第29-32页 |
| 第3章 硅(001)表面及金刚石(001)表面 | 第32-47页 |
| 3.1 硅(001)表面 | 第32-40页 |
| 3.1.1 硅(001)表面重构计算 | 第32-34页 |
| 3.1.2 硅(001)表面缺陷计算 | 第34-37页 |
| 3.1.3 粒子在硅(001)表面吸附 | 第37-40页 |
| 3.2 金刚石(001)表面 | 第40-45页 |
| 3.2.1 金刚石(001)表面重构 | 第40-42页 |
| 3.2.2 粒子在金刚石（001）重构表面上的吸附 | 第42-45页 |
| 3.3 小结 | 第45-47页 |
| 第4章 金刚石(001)面生长 | 第47-59页 |
| 4.1 单粒子自由能 | 第48-49页 |
| 4.2 金刚石晶核表面 | 第49-51页 |
| 4.3 金刚石晶粒生长 | 第51-58页 |
| 4.3.1 粒子在清洁重构金刚石表面上的吸附演变 | 第52-54页 |
| 4.3.2 粒子在 1ML H 终止金刚石表面上的吸附演变 | 第54-56页 |
| 4.3.3 金刚石晶粒生长机理 | 第56-58页 |
| 4.4 小结 | 第58-59页 |
| 第5章 界面研究 | 第59-74页 |
| 5.1 Si 粒子在金刚石（001）表面的演变 | 第59-66页 |
| 5.1.1 粒子在金刚石（001）表面迁移 | 第60-62页 |
| 5.1.2 粒子在岛构形演变中的演变行为 | 第62-66页 |
| 5.2 界面形式 | 第66-73页 |
| 5.2.1 单层 Si 界面 | 第67-68页 |
| 5.2.2 单层 SiC 界面 | 第68-73页 |
| 5.3 小结 | 第73-74页 |
| 第6章 全文总结和展望 | 第74-77页 |
| 6.1 总结 | 第74-76页 |
| 6.2 创新性 | 第76页 |
| 6.3 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-86页 |
| 索引 | 第86-91页 |
| 在学研究成果 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92页 |