摘要 | 第8-10页 |
ABSTRACT | 第10-11页 |
第一章 绪论 | 第12-27页 |
第一节 课题研究背景 | 第12-17页 |
1.1.1 透明导电氧化物薄膜的研究现状 | 第12-13页 |
1.1.2 透明导电氧化物薄膜的机理 | 第13-16页 |
1.1.3 紫外(UV)光电探测器简介 | 第16-17页 |
第二节 TiO_2基透明导电氧化物薄膜 | 第17-24页 |
1.2.1 TiO_2的晶体结构和能带结构 | 第17-19页 |
1.2.2 TiO_2基透明导电氧化物的研究现状 | 第19-22页 |
1.2.3 新型透明导电材料Ti_(1-x)W_xO_2的研究背景 | 第22-24页 |
第三节 TiO_2基紫外(UV)光电探测器 | 第24-26页 |
1.3.1 TiO_2基UV探测器的研究现状 | 第24页 |
1.3.2 TiO_2基透明导电薄膜在UV探测器中应用的设计原理 | 第24-26页 |
第四节 本论文的研究动机及研究内容 | 第26-27页 |
第二章 实验样品的制备技术与测试分析仪器 | 第27-35页 |
第一节 脉冲激光沉积(PLD)技术 | 第27-33页 |
2.1.1 脉冲激光沉积的原理 | 第28-30页 |
2.1.2 脉冲激光沉积的优缺点 | 第30-31页 |
2.1.3 实验室用激光脉冲沉积设备简介 | 第31-33页 |
第二节 试验样品测试分析仪器 | 第33-35页 |
2.2.1 薄膜样品结构物性分析仪器 | 第33页 |
2.2.2 TiO_2薄膜UV探测器性能测试分析仪器 | 第33-35页 |
第三章 新型透明导电材料Ti_(1-x)W_xO_2外延生长及物性研究 | 第35-52页 |
第一节 前言 | 第35-36页 |
第二节 样品制备 | 第36-38页 |
3.2.1 靶材的制备 | 第36-37页 |
3.2.2 衬底的选择 | 第37页 |
3.2.3 生长前衬底的处理 | 第37页 |
3.2.4 样品的生长条件选择 | 第37-38页 |
第三节 实验结果讨论 | 第38-51页 |
3.3.1 不同生长氧分压的Ti_(0.99)W_(0.01)O_2薄膜材料的性质 | 第38-42页 |
3.3.2 不同生长温度的Ti_(0.99)W_(0.01)O_2薄膜材料的性质 | 第42-45页 |
3.3.3 TiO_2:W薄膜材料体系的结构及物理性质表征 | 第45-51页 |
第四节 本章小结 | 第51-52页 |
第四章 Ti_(0.97)Nb_(0.03)O_2透明导电薄膜在TiO_2薄膜紫外(UV)光电探测器中的应用 | 第52-65页 |
第一节 前言 | 第52-54页 |
第二节 器件的制备 | 第54页 |
第三节 实验结果及讨论 | 第54-63页 |
4.3.1 Ti_(0.97)Nb_(0.03)O_2透明导电薄膜的结构和物理性质 | 第55-59页 |
4.3.2 结合Ti_(0.97)Nb_(0.03)O_2透明导电薄膜的TiO_2薄膜紫外(UV)光电探测器 | 第59-63页 |
第四节 本章小结 | 第63-65页 |
第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及参加学术会议 | 第73-74页 |
学位论文评阅及答辩情况表 | 第74页 |