| 摘要 | 第10-14页 |
| ABSTRACT | 第14-18页 |
| 符号表 | 第19-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-34页 |
| §1.1 GaN的材料特性 | 第20-22页 |
| §1.2 GaN材料的应用背景 | 第22-25页 |
| §1.3 GaN单晶薄膜的研究现状 | 第25-26页 |
| §1.4 纳米多孔GaN单晶薄膜的研究现状 | 第26-28页 |
| §1.5 立项依据 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-34页 |
| 第二章 实验设备和测试方法 | 第34-42页 |
| §2.1 实验设备 | 第34-35页 |
| 2.1.1 电化学刻蚀系统 | 第34-35页 |
| 2.1.2 金属化学气相沉积系统 | 第35页 |
| §2.2 测试方法 | 第35-41页 |
| 2.2.1 表面形貌测试方法 | 第35-36页 |
| 2.2.2 晶体结构测试方法 | 第36页 |
| 2.2.3 物质成分测试方法 | 第36-38页 |
| 2.2.4 光学特性的表征 | 第38-39页 |
| 2.2.5 力学特性的表征 | 第39-40页 |
| 2.2.6 电学特性的测试 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第三章 GaN薄膜在预刻蚀阶段的电化学刻蚀机理的研究 | 第42-52页 |
| §3.1 实验部分 | 第42-43页 |
| §3.2 结果和讨论 | 第43-48页 |
| §3.3 小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 第四章 纳米多孔GaN薄膜的光催化特性研究 | 第52-62页 |
| §4.1 实验部分 | 第52-53页 |
| 4.1.1 纳米多孔GaN薄膜的制备 | 第52页 |
| 4.1.2 光催化测试 | 第52-53页 |
| §4.2 结果和讨论 | 第53-59页 |
| 4.2.1 纳米多孔GaN薄膜的表征 | 第53-55页 |
| 4.2.2 纳米多孔GaN薄膜的光催化活性研究 | 第55-58页 |
| 4.2.3 纳米多孔GaN薄膜和多孔Si的光催化活性的对比 | 第58-59页 |
| §4.3 小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第五章 纳米多孔GaN薄膜光电化学特性的研究 | 第62-73页 |
| §5.1 实验部分 | 第62-63页 |
| 5.1.1 GaN单晶薄膜的制备 | 第62页 |
| 5.1.2 纳米多孔GaN薄膜的制备 | 第62-63页 |
| 5.1.3 测试和表征 | 第63页 |
| §5.2 结果和讨论 | 第63-69页 |
| §5.3 小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第六章 GaN基MQW的刻蚀及其光电化学特性 | 第73-87页 |
| §6.1 实验 | 第73-74页 |
| §6.2 结果和讨论 | 第74-83页 |
| 6.2.1 纳米多孔GaN基MQW薄膜的制备 | 第74-77页 |
| 6.2.2 纳米多孔GaN基MQW薄膜的剥离 | 第77-80页 |
| 6.2.3 纳米多孔GaN基MQW的光电化学特性 | 第80-83页 |
| §6.3 小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第七章 纳米多孔GaN基LED的制备及特性研究 | 第87-94页 |
| §7.1 实验 | 第87-88页 |
| §7.2 结果和讨论 | 第88-91页 |
| §7.3 小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第八章 具有分布布拉格反射镜的GaN基LED制备及特性研究 | 第94-107页 |
| §8.1 实验 | 第95-96页 |
| 8.1.1 MOCVD方法生长GaN样品 | 第95页 |
| 8.1.2 2英寸纳米多孔GaN DBR的制备 | 第95页 |
| 8.1.3 MOCVD方法再生长LED结构 | 第95-96页 |
| 8.1.4 材料表征与测试 | 第96页 |
| §8.2 结果和讨论 | 第96-102页 |
| §8.3 小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-107页 |
| 第九章 结论 | 第107-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第112-114页 |
| Paper 1 | 第114-121页 |
| Paper 2 | 第121-126页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第126页 |
