| 中文摘要 | 第10-12页 |
| ABSTRACT | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-31页 |
| 1.1 双自由基分子的磁耦合作用的研究现状 | 第15-19页 |
| 1.1.1 双自由基分子及其磁耦合作用的简介 | 第15-17页 |
| 1.1.2 影响双自由基分子磁耦合作用的因素 | 第17-18页 |
| 1.1.3 有机双自由基分子的实验研究 | 第18-19页 |
| 1.2 石墨烯片及其磁性衍生物概述 | 第19-22页 |
| 1.3 本文拟开展的主要工作 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-31页 |
| 第二章 铍掺杂修饰的类石墨烯磁性分子 | 第31-52页 |
| 2.1 引言 | 第31-32页 |
| 2.2 设计方案和计算细节 | 第32-35页 |
| 2.2.1 设计方案 | 第32-34页 |
| 2.2.2 计算细节 | 第34-35页 |
| 2.3 结果讨论 | 第35-45页 |
| 2.3.1 分子的结构特征 | 第35-37页 |
| 2.3.2 分子的双自由基性质及磁性 | 第37-42页 |
| 2.3.3 多铍修饰的芘分子的四自由基性质 | 第42-43页 |
| 2.3.4 铍修饰的石墨烯衍生物的稳定性 | 第43-45页 |
| 2.4 结论 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 第三章 C=C单元中心修饰的具有双自由基特性的类卟啉分子设计及磁性 | 第52-80页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 设计方案与计算细节 | 第53-55页 |
| 3.2.1 设计方案 | 第54页 |
| 3.2.2 计算细节 | 第54-55页 |
| 3.3 结果讨论 | 第55-70页 |
| 3.3.1 磁耦合性质 | 第57-58页 |
| 3.3.2 双自由基分子的结构特征 | 第58-62页 |
| 3.3.3 NN、IN和VER自由基的性质 | 第62-63页 |
| 3.3.4 分子内磁耦合作用机制 | 第63-69页 |
| 3.3.5 耦合桥单元的各向异性 | 第69-70页 |
| 3.4 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 第四章 具有B-B和C=C中心单元的仿卟啉石墨烯片分子材料设计及磁性 | 第80-104页 |
| 4.1 引言 | 第80-81页 |
| 4.2 设计方案与计算细节 | 第81-83页 |
| 4.2.1 设计方案 | 第81-82页 |
| 4.2.2 计算细节 | 第82-83页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第83-96页 |
| 4.3.1 双自由基分子的磁耦合特征 | 第83-84页 |
| 4.3.2 双自由基分子的结构特征 | 第84-87页 |
| 4.3.3 分子轨道对磁耦合作用的影响 | 第87-88页 |
| 4.3.4 利用分子振动模式调控C=C中心修饰的分子的磁性 | 第88-92页 |
| 4.3.5 利用氧化还原作用调控B-B中心修饰的分子的磁性 | 第92-96页 |
| 4.4 结论 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-104页 |
| 第五章 三元桥桥连的双自由基联苯分子设计及磁性 | 第104-126页 |
| 5.1 引言 | 第104-106页 |
| 5.2 计算细节 | 第106-107页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第107-119页 |
| 5.3.1 双自由基分子的结构特征 | 第109-110页 |
| 5.3.2 双自由基性质及磁性 | 第110-112页 |
| 5.3.3 自旋交替规则 | 第112-113页 |
| 5.3.4 自旋密度分布与中间桥X的调控效应 | 第113-115页 |
| 5.3.5 双自由基分子的磁耦合机理 | 第115-119页 |
| 5.4 结论 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-126页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第129-130页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第130页 |
