| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 GOI材料的研究背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.2 GOI材料的应用 | 第13-17页 |
| 1.3 GOI材料的研究进展 | 第17-26页 |
| 1.4 本论文主要工作和结构安排 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-31页 |
| 第二章 UHV/CVD生长超薄Si薄膜实现Ge/Si-SiO_2键合 | 第31-45页 |
| 2.1 Si/Ge表面分析 | 第31-35页 |
| 2.1.1 Si/Ge表面形貌表征 | 第32-34页 |
| 2.1.2 Si/Ge表面化学组分分析 | 第34-35页 |
| 2.2 Ge/Si-SiO_2键合 | 第35-42页 |
| 2.2.1 键合工艺流程 | 第36-37页 |
| 2.2.2 键合强度及键合机理分析 | 第37-39页 |
| 2.2.3 键合界面结构研究 | 第39-42页 |
| 2.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 磁控溅射生长超薄Si薄膜实现Ge/Si-SiO_2键合 | 第45-53页 |
| 3.1 电流、压强对溅射Si速率的影响 | 第45-46页 |
| 3.2 超薄Si表面形貌表征 | 第46-47页 |
| 3.3 Ge/Si-SiO_2键合 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第四章 GOI的减薄及其性质表征 | 第53-62页 |
| 4.1 GOI的减薄工艺研究 | 第53-57页 |
| 4.1.1 GOI的机械减薄 | 第53-54页 |
| 4.1.2 GOI的化学机械抛光(CMP) | 第54-56页 |
| 4.1.3 GOI的湿法化学腐蚀减薄 | 第56-57页 |
| 4.2 GOI的电学性质表征 | 第57-60页 |
| 4.2.1 霍尔测试 | 第57页 |
| 4. 2.2 Pseudo-MOSFET(ψ-MOSFET)測试 | 第57-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 附录硕士期间科研成果 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
