| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题研究的意义 | 第9-10页 |
| 1.2 碳化硅材料及碳化硅器件 | 第10-13页 |
| 1.2.1 碳化硅材料 | 第10-11页 |
| 1.2.2 碳化硅器件 | 第11-13页 |
| 1.3 LLC谐振变换器 | 第13-16页 |
| 1.3.1 LLC谐振变换器的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.2 LLC谐振变换器的优点 | 第14-15页 |
| 1.3.3 LLC谐振变换器的应用领域 | 第15-16页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第16-19页 |
| 第二章 LLC谐振变换器 | 第19-35页 |
| 2.1 电路结构 | 第19-21页 |
| 2.1.1 主电路结构 | 第19-20页 |
| 2.1.2 整流电路结构 | 第20-21页 |
| 2.1.3 本文采用的电路结构 | 第21页 |
| 2.2 半桥LLC谐振变换器的工作原理 | 第21-30页 |
2.2.1 fm| 第23-27页 | |
| 2.2.2 fs>fr时的工作原理 | 第27-28页 |
| 2.2.3 fs=fr时的工作原理 | 第28-30页 |
| 2.3 软开关技术及实现条件 | 第30-34页 |
| 2.3.1 软开关技术 | 第30-32页 |
| 2.3.2 LLC谐振变换器的ZVS实现条件 | 第32-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 SiC器件的特性 | 第35-51页 |
| 3.1 SiC肖特基二极管的特性 | 第35-39页 |
| 3.1.1 SiC肖特基二极管的通态特性 | 第35-37页 |
| 3.1.2 SiC肖特基二极管的阻态特性 | 第37-38页 |
| 3.1.3 SiC肖特基二极管的反向恢复特性 | 第38-39页 |
| 3.2 SiC MOSFET的特性 | 第39-44页 |
| 3.2.1 SiC MOSFET的通态特性 | 第39-41页 |
| 3.2.2 SiC MOSFET的阻态特性 | 第41-42页 |
| 3.2.3 SiC MOSFET的开关特性 | 第42-43页 |
| 3.2.4 SiC MOSFET的驱动特性 | 第43-44页 |
| 3.3 器件特性测试仿真 | 第44-49页 |
| 3.3.1 双脉冲测试电路 | 第45-46页 |
| 3.3.2 SiC肖特基二极管开关特性测试 | 第46-48页 |
| 3.3.3 SiC MOSFET开关特性测试 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 SiC器件LLC谐振变换器的设计 | 第51-65页 |
| 4.1 等效FHA电路的分析 | 第51-53页 |
| 4.1.1 LLC谐振变换器等效FHA电路 | 第51-53页 |
| 4.1.2 LLC谐振变换器的增益特性 | 第53页 |
| 4.2 LLC谐振变换器的主电路参数设计 | 第53-57页 |
| 4.2.1 参数设计步骤 | 第54-55页 |
| 4.2.2 简单参数的取值 | 第55页 |
| 4.2.3 谐振元件的参数设计 | 第55-57页 |
| 4.3 控制电路设计 | 第57-59页 |
| 4.4 驱动电路设计 | 第59-63页 |
| 4.4.1 隔离芯片 | 第60-61页 |
| 4.4.2 驱动芯片 | 第61-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 SiC器件LLC谐振变换器的实验与损耗分析 | 第65-75页 |
| 5.1 LTspice仿真实验 | 第65-67页 |
| 5.2 实验测试与波形分析 | 第67-69页 |
| 5.3 损耗分析 | 第69-74页 |
| 5.3.1 器件选型 | 第69-70页 |
| 5.3.2 损耗计算与对比 | 第70-74页 |
| 5.4 本章小结 | 第74-75页 |
| 第六章 工作总结及展望 | 第75-77页 |
| 6.1 工作总结 | 第75页 |
| 6.2 工作展望 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83页 |