| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第7-9页 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 | 第7-8页 |
| 1.2 本论文的结构安排 | 第8-9页 |
| 第二章 实验仪器原理与方法 | 第9-17页 |
| 2.1 原子力显微镜(AFM) | 第9-12页 |
| 2.2 导电原子力显微镜(CAFM) | 第12-13页 |
| 2.3 扫描开尔文显微镜(SKM) | 第13-14页 |
| 2.4 扫描电容显微镜(SCM) | 第14-17页 |
| 第三章 GeSi量子环的组分分布研究 | 第17-23页 |
| 3.1 研究背景及意义 | 第17-18页 |
| 3.2 样品制备与实验过程 | 第18页 |
| 3.3 GeSi量子环的组分分布 | 第18-22页 |
| 3.4 小结 | 第22-23页 |
| 第四章 GeSi量子环的导电性质研究 | 第23-30页 |
| 4.1 引言 | 第23页 |
| 4.2 实验 | 第23页 |
| 4.3 GeSi量子环的CAFM结果与讨论 | 第23-29页 |
| 4.4 小结 | 第29-30页 |
| 第五章 GeSi量子环的表面电势及其载流子浓度分布研究 | 第30-35页 |
| 5.1 引言 | 第30页 |
| 5.2 实验过程简介 | 第30页 |
| 5.3 GeSi量子环的SKM结果与SCM结果及讨论 | 第30-34页 |
| 5.4 小结 | 第34-35页 |
| 第六章 GeSi量子点的组分分布研究 | 第35-42页 |
| 6.1 引言 | 第35页 |
| 6.2 样品准备与测试 | 第35-36页 |
| 6.3 不同温度下的GeSi量子点的组分分布 | 第36-40页 |
| 6.4 小结 | 第40-42页 |
| 第七章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-46页 |
| 发表文章 | 第46页 |
| 会议报告 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |