| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 拓扑绝缘体 | 第13-20页 |
| 1.1.1 拓扑绝缘体的概念 | 第13-16页 |
| 1.1.2 拓扑绝缘体的研究现状 | 第16-20页 |
| 1.2 拓扑半金属 | 第20-23页 |
| 1.2.1 拓扑半金属的发展历史 | 第21页 |
| 1.2.2 拓扑半金属的研究现状 | 第21-23页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第23-25页 |
| 第二章 拓扑绝缘体薄膜的生长与器件制备 | 第25-33页 |
| 2.1 范德瓦尔斯外延发生长薄膜 | 第25-26页 |
| 2.2 Bi_(0.05)Sb_(1.95)Te_3-BaFe_(12)O_(19)异质结的生长 | 第26-30页 |
| 2.3 Bi_(0.05)Sb_(1.95)Te_3-BaFe_(12)O_(19)异质结器件的微纳加工 | 第30-32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 Bi_(0.05)Sb_(1.95)Te_3-BaFe_(12)O_(19)异质结的输运研究 | 第33-47页 |
| 3.1 凝聚态物理中的弱局域与弱反局域化效应 | 第33-37页 |
| 3.1.1 凝聚态物理中的弱局域化效应 | 第33-35页 |
| 3.1.2 凝聚态物理中的弱反局域化效应 | 第35-37页 |
| 3.2 磁近邻效应诱导的弱局域化效应 | 第37-45页 |
| 3.2.1 异质结的温度电阻特性 | 第37-39页 |
| 3.2.2 异质结面内方向磁阻特性 | 第39-41页 |
| 3.2.3 异质结面外方向磁阻特性 | 第41-45页 |
| 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 层状材料ZrTe_5中的Dirac半金属位相 | 第47-69页 |
| 4.1 ZrTe_5单晶的生长以及微纳加工工艺 | 第47-49页 |
| 4.2 手性磁效应 | 第49-57页 |
| 4.2.1 凝聚态物理中的手性磁效应 | 第49-52页 |
| 4.2.2 层状材料ZrTe_5中的手性磁效应 | 第52-57页 |
| 4.3 ZrTe_5中非平庸的Berry位相 | 第57-62页 |
| 4.3.1 Berry位相简介 | 第57-59页 |
| 4.3.2 层状材料ZrTe_5中的Berry位相 | 第59-62页 |
| 4.4 ZrTe_5中各向异性的费米面 | 第62-65页 |
| 4.5 微波探测低场下ZrTe_5的量子振荡 | 第65-67页 |
| 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 ZrTe_5中的塞曼效应 | 第69-79页 |
| 5.1 ZrTe_5材料中的兰德g因子 | 第69-71页 |
| 5.2 强磁场下塞曼效应诱导的有质量的二维Dirac金属位相 | 第71-74页 |
| 5.3 强磁场下ZrTe_5单晶中的轨道劈裂效应 | 第74-77页 |
| 本章小结 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第87页 |
