| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 论文结构安排 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 光纤通信中的PIN光探测器及GaAs基1550nm激光器 | 第14-35页 |
| 2.1 光纤通信中光探测器的研究进展 | 第14-20页 |
| 2.1.1 垂直入射PIN光探测器 | 第14-15页 |
| 2.1.2 部分耗尽吸收层(PDA)光探测器 | 第15-16页 |
| 2.1.3 单行载流子(UTC)光探测器 | 第16-19页 |
| 2.1.4 波导型光探测器 | 第19页 |
| 2.1.5 倏逝波耦合波导光探测器 | 第19-20页 |
| 2.2 PIN光探测器的工作原理和性能参数分析 | 第20-26页 |
| 2.2.1 PIN光探测器基本原理 | 第20-21页 |
| 2.2.2 量子效率和响应度分析 | 第21-22页 |
| 2.2.3 高速性能和3dB带宽分析 | 第22-26页 |
| 2.2.4 暗电流特性分析 | 第26页 |
| 2.3 InP/GaAs异变外延生长的研究进展 | 第26-27页 |
| 2.4 GaAs基1550nm激光器研究进展 | 第27-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第三章 宽光谱高速光探测器的研究 | 第35-53页 |
| 3.1 InP基宽光谱高速光探测器的仿真模型 | 第36-44页 |
| 3.1.1 三大基本方程 | 第36页 |
| 3.1.2 数值解方法 | 第36-37页 |
| 3.1.3 物理模型 | 第37-40页 |
| 3.1.4 材料参数 | 第40-44页 |
| 3.2 InP基宽光谱高速光探测器结构的优化设计 | 第44-47页 |
| 3.2.1 InGaAs层厚度的优化设计 | 第45-46页 |
| 3.2.2 InGaAsP层厚度的优化设计 | 第46页 |
| 3.2.3 InGaAs层掺杂浓度的优化设计 | 第46-47页 |
| 3.3 InP基宽光谱高速光探测器性能的优化分析 | 第47-50页 |
| 3.3.1 高速响应特性分析 | 第47-49页 |
| 3.3.2 响应度与量子效率特性分析 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 InP/GaAs异变外延生长及位错表征 | 第53-65页 |
| 4.1 InP/GaAs异变外延生长 | 第53-58页 |
| 4.1.1 两步生长法 | 第53-54页 |
| 4.1.2 超晶格和循环退火 | 第54-58页 |
| 4.2 InP/GaAs异变外延低温缓冲层的位错分析 | 第58-61页 |
| 4.2.1 位错的产生机制 | 第58-60页 |
| 4.2.2 位错表征手段 | 第60-61页 |
| 4.3 湿法化学腐蚀法测InP/GaAs异变外延片的位错密度 | 第61-62页 |
| 4.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第五章 GaAs基1550nm InGaAsP多量子阱激光器 | 第65-77页 |
| 5.1 异面宽接触条形激光器材料生长及器件测试(脉冲激射) | 第65-70页 |
| 5.2 异面宽条激光器(室温连续激射) | 第70-75页 |
| 5.2.1 器件结构及其制备 | 第70-71页 |
| 5.2.2 性能测试分析 | 第71-75页 |
| 5.3 本章小结 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第79页 |
