| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的简介 | 第12-15页 |
| 1.3 金属氧化物及有机半导体的发展及现状 | 第15-18页 |
| 1.3.1 金属氧化物及有机半导体的发展历程 | 第15-18页 |
| 1.3.2 金属氧化物的应用现状 | 第18页 |
| 1.4 前沿分析和存在的问题 | 第18-19页 |
| 1.5 本论文的主要研究内容和章节安排 | 第19-22页 |
| 第二章 载流子传输机理及溶液法金属氧化物薄膜的研究 | 第22-34页 |
| 2.1 载流子在金属氧化物中的传输机理概述 | 第22-23页 |
| 2.2 非晶金属氧化物半导体 | 第23-25页 |
| 2.2.1 载流子迁移率与晶态关系 | 第23-24页 |
| 2.2.2 能带和态密度 | 第24-25页 |
| 2.3 溶液金属氧化物薄膜的研究 | 第25-33页 |
| 2.3.1 溶胶凝胶法 | 第26-30页 |
| 2.3.1.1 高温溶胶凝胶金属氧化物薄膜 | 第27-28页 |
| 2.3.1.2 低温溶胶凝胶金属氧化物薄膜 | 第28-30页 |
| 2.3.2 化学浴沉积及低温碱性氧化锌 | 第30-31页 |
| 2.3.3 喷涂热分解合成金属氧化物 | 第31页 |
| 2.3.4 低温“燃烧”法 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 基于界面修饰层的机薄膜晶体管的研究 | 第34-45页 |
| 3.1 有机薄膜晶体管的制备 | 第34-35页 |
| 3.2 OTFT器件性能研究与分析 | 第35-44页 |
| 3.2.1. 空穴传输界面修饰层 | 第35-38页 |
| 3.2.2. 空穴注入界面修饰层 | 第38-41页 |
| 3.2.3 金属源漏电极沉积速率对OTFT界面特性的影响 | 第41-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 基于协同效应的高性能金属氧化物薄膜晶体管 | 第45-58页 |
| 4.1 协同效应金属氧化物薄膜及其晶体管的制备 | 第46页 |
| 4.2 协同效应金属氧化物薄膜的结构研究 | 第46-51页 |
| 4.2.1 薄膜形貌的研究 | 第46-48页 |
| 4.2.2 薄膜电子结构的研究 | 第48-50页 |
| 4.2.3 薄膜微纳米结构的研究 | 第50-51页 |
| 4.3 协同效应金属氧化物薄膜的TFT电学特性 | 第51-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 基于非晶态金属氧化物聚合物杂化体系的全透明超柔性薄膜晶体管 | 第58-88页 |
| 5.1 金属氧化物聚合物杂化体系的设计及器件制备 | 第59-61页 |
| 5.1.1 金属氧化物聚合物杂化体系的设计 | 第59-60页 |
| 5.1.2 金属氧化物聚合物杂化体系的器件制备 | 第60-61页 |
| 5.2 金属氧化物聚合物杂化体系薄膜特性研究 | 第61-74页 |
| 5.2.1 金属氧化物聚合物杂化体系薄膜的光学特性及形貌特性 | 第61-64页 |
| 5.2.2 金属氧化物聚合物杂化体系薄膜的结晶特性研究 | 第64-68页 |
| 5.2.3 金属氧化物聚合物杂化体系薄膜的电子结构研究 | 第68-74页 |
| 5.3 金属氧化物聚合物杂化体系的TFT研究 | 第74-86页 |
| 5.3.1 金属氧化物聚合物杂化体系薄膜的刚性TFT器件 | 第74-80页 |
| 5.3.2 柔性全透明TFT器件的研究 | 第80-86页 |
| 5.4 本章小结 | 第86-88页 |
| 第六章 金属氧化物雾化燃烧合成法的研究 | 第88-126页 |
| 6.1 雾化燃烧金属氧化物的制备 | 第89-91页 |
| 6.1.1 金属氧化物雾化燃烧前驱体 | 第89页 |
| 6.1.2 雾化燃烧金属氧化物薄膜及器件制备 | 第89-91页 |
| 6.2 雾化燃烧金属氧化物薄膜特性研究 | 第91-100页 |
| 6.2.1 雾化燃烧金属氧化物薄膜的电子结构研究 | 第91-95页 |
| 6.2.2 雾化燃烧金属氧化物薄膜的形貌研究 | 第95-100页 |
| 6.3 雾化燃烧金属氧化物薄膜的器件性能研究 | 第100-106页 |
| 6.4 单层IGZO薄膜特性研究 | 第106-124页 |
| 6.4.1 IGZO（1:0.11:0.29）薄膜电学特性 | 第106-110页 |
| 6.4.2 IGZO（1:1:1）薄膜电学特性 | 第110-113页 |
| 6.4.3 IGZO薄膜电子结构研究 | 第113-116页 |
| 6.4.4 IGZO薄膜正电子湮灭模型 | 第116-119页 |
| 6.4.5 IGZO薄膜DOS模型 | 第119-124页 |
| 6.5 本章小节 | 第124-126页 |
| 第七章 全文总结 | 第126-133页 |
| 7.1 本论文的主要工作 | 第126-128页 |
| 7.2 本论文的主要创新点 | 第128-133页 |
| 致谢 | 第133-135页 |
| 参考文献 | 第135-153页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第153-157页 |
