室温制备非晶ZnO薄膜及其电阻开关特性研究

摘要	第4-5页
Abstract	第5页
1 绪论	第8-21页
1.1 引言	第8-9页
1.2 传统的Flash存储器	第9-10页
1.3 新型的存储器	第10-17页
1.4 低温制备ZnO电阻开关的研究现状	第17-18页
1.5 本论文的研究内容及意义	第18-21页
2 非晶态氧化锌薄膜的制备方法及表征技术	第21-26页
2.1 引言	第21页
2.2 溶胶-凝胶法	第21-23页
2.3 紫外光固化	第23页
2.4 非晶态氧化锌薄膜的性能表征技术	第23-25页
2.5 本章小结	第25-26页
3 室温制备非晶氧化锌薄膜及其电阻开关特性的研究	第26-44页
3.1 引言	第26页
3.2 室温制备非晶氧化锌薄膜及其器件	第26-32页
3.3 非晶氧化锌薄膜的组织结构特征	第32-37页
3.4 DUV-ZnO薄膜电阻开关特性和传导机制	第37-43页
3.5 本章小结	第43-44页
4 非晶态氧化锌薄膜柔性结构电阻开关特性的研究	第44-51页
4.1 引言	第44-45页
4.2 柔性结构电阻开关特性分析	第45-46页
4.3 电阻开关特征及传导机制	第46-47页
4.4 柔性电阻开关特征	第47-50页
4.5 本章小结	第50-51页
5 总结和展望	第51-53页
致谢	第53-54页
参考文献	第54-62页
附录1攻读硕士学位期间发表论文目录	第62页