| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 二硫化钨(WS_2)简介 | 第9-11页 |
| 1.2.1 WS_2性质简介 | 第10-11页 |
| 1.2.2 WS_2基二维薄膜材料异质结 | 第11页 |
| 1.3 硫族镓化物性质简介 | 第11-13页 |
| 1.3.1 碲化镓(GaTe)性质简介 | 第11-12页 |
| 1.3.2 硒化镓(GaSe)性质简介 | 第12-13页 |
| 2 WS_2制备与表征 | 第13-18页 |
| 2.1 WS_2制备方法 | 第13-15页 |
| 2.1.1 微机械剥离法 | 第13页 |
| 2.1.2 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD) | 第13-14页 |
| 2.1.3 硫化超薄WO_3薄膜 | 第14页 |
| 2.1.4 溶液剥离法(Liquid exfoliation methods) | 第14-15页 |
| 2.2 样品表征 | 第15-16页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第15页 |
| 2.2.2 拉曼光谱 | 第15-16页 |
| 2.2.3 光致发光光谱(PL) | 第16页 |
| 2.3 本文主要工作 | 第16-18页 |
| 3 WS_2制备与Ag_2S表面修饰对其光学性质的影响 | 第18-26页 |
| 3.1 前言 | 第18页 |
| 3.2 WS_2制备与性能表征 | 第18-21页 |
| 3.2.1 WS_2的制备 | 第18-19页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第19-21页 |
| 3.3 WS_2样品转移与修饰 | 第21-25页 |
| 3.3.1 WS_2样品的转移与修饰 | 第21-23页 |
| 3.3.2 Ag_2S表面修饰前后WS_2光学性质的研究 | 第23-25页 |
| 3.4 结论 | 第25-26页 |
| 4 GaTe-WS_2-GaSe双异质结层间偶合特性研究 | 第26-36页 |
| 4.1 前言 | 第26页 |
| 4.2 GaTe-WS_2-GaSe双异质结的制备 | 第26-29页 |
| 4.2.1 GaTe-WS_2异质结制备 | 第26-28页 |
| 4.2.2 GaTe-WS_2-GaSe双异质结制备 | 第28-29页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第29-35页 |
| 4.3.1 GaTe-WS_2异质结偶合性质研究 | 第29-32页 |
| 4.3.2 GaTe-WS_2-GaSe双异质结层间偶合性质研究 | 第32-35页 |
| 4.4 结论 | 第35-36页 |
| 5 WS_2-GaS_(0.5)Se_(0.5)-GaSe双异质结层间偶合及光学特性 | 第36-46页 |
| 5.1 前言 | 第36页 |
| 5.2 WS_2-GaSe异质结制备与偶合性质研究 | 第36-41页 |
| 5.2.1 WS_2-GaSe异质结制备 | 第36-38页 |
| 5.2.2 WS_2-GaSe异质结偶合性质研究 | 第38-41页 |
| 5.3 WS_2-GaS_(0.5)Se_(0.5)-GaSe双异质结制备与层间偶合特性研究 | 第41-45页 |
| 5.3.1 WS_2-GaS_(0.5)Se_(0.5)-GaSe双异质结制备 | 第41-42页 |
| 5.3.2 WS_2-GaS_(0.5)Se_(0.5)-GaSe双异质结层间偶合特性研究 | 第42-45页 |
| 5.4 结论 | 第45-46页 |
| 6 总结与展望 | 第46-48页 |
| 6.1 总结 | 第46-47页 |
| 6.2 展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-56页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
