摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第13-27页 |
1.1 引言 | 第13-14页 |
1.2 研究现状 | 第14-18页 |
1.3 主要研究内容 | 第18-19页 |
1.4 论文组织结构 | 第19-21页 |
参考文献 | 第21-27页 |
第二章 分子动力学方法 | 第27-41页 |
2.1 分子动力学方法 | 第27-35页 |
2.1.1 基本原理 | 第27-28页 |
2.1.2 体系的初始化 | 第28-30页 |
2.1.3 势函数 | 第30-32页 |
2.1.4 运动方程的数值求解 | 第32-33页 |
2.1.5 提高计算效率 | 第33-35页 |
2.2 构型弛豫 | 第35-37页 |
2.2.1 最速下降法 | 第35-36页 |
2.2.2 共轭梯度法 | 第36-37页 |
2.3 最小能量路径计算 | 第37-39页 |
参考文献 | 第39-41页 |
第三章 动力学蒙特卡罗方法 | 第41-57页 |
3.1 时间尺度问题 | 第41-42页 |
3.2 偶然事件体系、态-态动力学和KMC概念 | 第42-43页 |
3.3 速率常数和一阶过程 | 第43-44页 |
3.4 KMC程序 | 第44-46页 |
3.5 确定速率 | 第46-48页 |
3.5.1 过渡态理论 | 第46-47页 |
3.5.2 谐波过渡状态理论 | 第47-48页 |
3.6 晶格假设和速率目录 | 第48-51页 |
3.6.1 假设附加的相互作用 | 第50-51页 |
3.6.2 服从细致平衡 | 第51页 |
3.7 系统尺寸的计算比例 | 第51-52页 |
3.8 KMC不精确的真正原因 | 第52-53页 |
3.9 KMC可实现的仿真时间 | 第53-54页 |
3.10 低能垒问题 | 第54-55页 |
3.11 对象动力学蒙特卡罗(Object Kinetic Monte Carlo) | 第55页 |
3.12 即时动力学蒙特卡罗(On-the-fly Kinetic Monte Carlo) | 第55-56页 |
3.13 结论 | 第56-57页 |
第四章 纳米多孔钨依赖表面结构的辐照损伤修复机理 | 第57-79页 |
4.1 研究背景 | 第57-58页 |
4.2 研究方法 | 第58-62页 |
4.2.1 相互作用势 | 第58-59页 |
4.2.2 计算模型 | 第59页 |
4.2.3 NP W中初级辐照损伤的MD模拟细节 | 第59-60页 |
4.2.4 表面附近SIA和V行为的MS计算细节 | 第60-61页 |
4.2.5 表面附近V行为的AKMC模拟细节 | 第61页 |
4.2.6 表面上或其附近SIA和V动态行为的OKMC模拟细节 | 第61-62页 |
4.3 研究结果 | 第62-69页 |
4.3.1 1000 K下NP W中的初级辐照损伤 | 第62-64页 |
4.3.2 表面附近和表面上SIA和V的能量学和动力学性质 | 第64-69页 |
4.4 讨论 | 第69-74页 |
4.4.1 NP W中辐照损伤修复的原子机理 | 第69-70页 |
4.4.2 NP W中辐照损伤修复的宏观机理 | 第70-72页 |
4.4.3 表面与晶界修复机理和效率对比 | 第72-74页 |
4.5 结论 | 第74-75页 |
参考文献 | 第75-79页 |
第五章 钨(001)表面附近小空位团簇的聚集和偏聚 | 第79-97页 |
5.1 研究背景 | 第79-80页 |
5.2 计算方法 | 第80-82页 |
5.2.1 MS计算中相互作用势和表面模型 | 第80-81页 |
5.2.2 缺陷性质的定义和计算 | 第81页 |
5.2.3 表面附近空位演化OKMC模拟细节 | 第81-82页 |
5.3 研究结果 | 第82-91页 |
5.3.1 块体W中小空位团簇形成的MS观察 | 第82-84页 |
5.3.2 块体W中小空位团簇扩散的MS观察 | 第84-85页 |
5.3.3 空位团簇周围单空位形成和扩散的MS观察 | 第85-88页 |
5.3.4 W(0 0 1)表面附近小空位团簇迁移的MS观察 | 第88-90页 |
5.3.5 W(0 0 1)表面附近空位聚集和偏聚的OKMC观察 | 第90-91页 |
5.4 小结 | 第91-92页 |
5.5 支撑材料 | 第92-94页 |
参考文献 | 第94-97页 |
第六章 纳米晶体钨中动态反射和发射间隙与空位的湮灭 | 第97-125页 |
6.1 研究引言 | 第97-99页 |
6.2 研究方法 | 第99-104页 |
6.2.1 原子势函数和MS和MD计算模型 | 第99-101页 |
6.2.2 GB附近SIA_n行为的MD模拟细节 | 第101页 |
6.2.3 GB附近SIA_n行为的MS计算细节 | 第101-102页 |
6.2.4 GB处SIA_n行为的MS计算细节 | 第102-103页 |
6.2.5 GB附近SIA_n动态行为的OKMC计算细节 | 第103-104页 |
6.3 研究结果 | 第104-113页 |
6.3.1 GB附近SIA_n偏聚和反射的MD模拟 | 第104-105页 |
6.3.2 GB附近SIA偏聚和反射的结构和动力学原因 | 第105-108页 |
6.3.3 通过SIA反射的V的动态湮灭 | 第108-109页 |
6.3.4 GB附近V-SIA_n的相互作用 | 第109-111页 |
6.3.5 通过动态SIA发射的V湮灭 | 第111-113页 |
6.4 讨论 | 第113-115页 |
6.5 结论 | 第115-116页 |
6.6 支撑材料 | 第116-120页 |
参考文献 | 第120-125页 |
第七章 全文总结 | 第125-127页 |
7.1 全文结论和创新点 | 第125-126页 |
7.2 工作展望 | 第126-127页 |
致谢 | 第127-128页 |
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第128页 |