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纳米多孔钨抗辐照损伤机理模拟研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
第一章 绪论第13-27页
    1.1 引言第13-14页
    1.2 研究现状第14-18页
    1.3 主要研究内容第18-19页
    1.4 论文组织结构第19-21页
    参考文献第21-27页
第二章 分子动力学方法第27-41页
    2.1 分子动力学方法第27-35页
        2.1.1 基本原理第27-28页
        2.1.2 体系的初始化第28-30页
        2.1.3 势函数第30-32页
        2.1.4 运动方程的数值求解第32-33页
        2.1.5 提高计算效率第33-35页
    2.2 构型弛豫第35-37页
        2.2.1 最速下降法第35-36页
        2.2.2 共轭梯度法第36-37页
    2.3 最小能量路径计算第37-39页
    参考文献第39-41页
第三章 动力学蒙特卡罗方法第41-57页
    3.1 时间尺度问题第41-42页
    3.2 偶然事件体系、态-态动力学和KMC概念第42-43页
    3.3 速率常数和一阶过程第43-44页
    3.4 KMC程序第44-46页
    3.5 确定速率第46-48页
        3.5.1 过渡态理论第46-47页
        3.5.2 谐波过渡状态理论第47-48页
    3.6 晶格假设和速率目录第48-51页
        3.6.1 假设附加的相互作用第50-51页
        3.6.2 服从细致平衡第51页
    3.7 系统尺寸的计算比例第51-52页
    3.8 KMC不精确的真正原因第52-53页
    3.9 KMC可实现的仿真时间第53-54页
    3.10 低能垒问题第54-55页
    3.11 对象动力学蒙特卡罗(Object Kinetic Monte Carlo)第55页
    3.12 即时动力学蒙特卡罗(On-the-fly Kinetic Monte Carlo)第55-56页
    3.13 结论第56-57页
第四章 纳米多孔钨依赖表面结构的辐照损伤修复机理第57-79页
    4.1 研究背景第57-58页
    4.2 研究方法第58-62页
        4.2.1 相互作用势第58-59页
        4.2.2 计算模型第59页
        4.2.3 NP W中初级辐照损伤的MD模拟细节第59-60页
        4.2.4 表面附近SIA和V行为的MS计算细节第60-61页
        4.2.5 表面附近V行为的AKMC模拟细节第61页
        4.2.6 表面上或其附近SIA和V动态行为的OKMC模拟细节第61-62页
    4.3 研究结果第62-69页
        4.3.1 1000 K下NP W中的初级辐照损伤第62-64页
        4.3.2 表面附近和表面上SIA和V的能量学和动力学性质第64-69页
    4.4 讨论第69-74页
        4.4.1 NP W中辐照损伤修复的原子机理第69-70页
        4.4.2 NP W中辐照损伤修复的宏观机理第70-72页
        4.4.3 表面与晶界修复机理和效率对比第72-74页
    4.5 结论第74-75页
    参考文献第75-79页
第五章 钨(001)表面附近小空位团簇的聚集和偏聚第79-97页
    5.1 研究背景第79-80页
    5.2 计算方法第80-82页
        5.2.1 MS计算中相互作用势和表面模型第80-81页
        5.2.2 缺陷性质的定义和计算第81页
        5.2.3 表面附近空位演化OKMC模拟细节第81-82页
    5.3 研究结果第82-91页
        5.3.1 块体W中小空位团簇形成的MS观察第82-84页
        5.3.2 块体W中小空位团簇扩散的MS观察第84-85页
        5.3.3 空位团簇周围单空位形成和扩散的MS观察第85-88页
        5.3.4 W(0 0 1)表面附近小空位团簇迁移的MS观察第88-90页
        5.3.5 W(0 0 1)表面附近空位聚集和偏聚的OKMC观察第90-91页
    5.4 小结第91-92页
    5.5 支撑材料第92-94页
    参考文献第94-97页
第六章 纳米晶体钨中动态反射和发射间隙与空位的湮灭第97-125页
    6.1 研究引言第97-99页
    6.2 研究方法第99-104页
        6.2.1 原子势函数和MS和MD计算模型第99-101页
        6.2.2 GB附近SIA_n行为的MD模拟细节第101页
        6.2.3 GB附近SIA_n行为的MS计算细节第101-102页
        6.2.4 GB处SIA_n行为的MS计算细节第102-103页
        6.2.5 GB附近SIA_n动态行为的OKMC计算细节第103-104页
    6.3 研究结果第104-113页
        6.3.1 GB附近SIA_n偏聚和反射的MD模拟第104-105页
        6.3.2 GB附近SIA偏聚和反射的结构和动力学原因第105-108页
        6.3.3 通过SIA反射的V的动态湮灭第108-109页
        6.3.4 GB附近V-SIA_n的相互作用第109-111页
        6.3.5 通过动态SIA发射的V湮灭第111-113页
    6.4 讨论第113-115页
    6.5 结论第115-116页
    6.6 支撑材料第116-120页
    参考文献第120-125页
第七章 全文总结第125-127页
    7.1 全文结论和创新点第125-126页
    7.2 工作展望第126-127页
致谢第127-128页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第128页

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