中文摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 文献综述 | 第11-35页 |
1.1 超级电容器概述 | 第11-20页 |
1.1.1 超级电容器的原理及分类 | 第11-14页 |
1.1.2 超级电容器电极材料研究进展 | 第14-16页 |
1.1.3 超级电容器的性能表征 | 第16-18页 |
1.1.4 超级电容器的特点与应用 | 第18-20页 |
1.2 TiO_2纳米薄膜材料概述 | 第20-24页 |
1.2.1 TiO_2纳米薄膜材料的制备 | 第20-21页 |
1.2.2 TiO_2纳米薄膜材料的结构和性质 | 第21-23页 |
1.2.3 TiO_2纳米薄膜材料的应用 | 第23-24页 |
1.3 TiO_2-水溶液相界面的研究 | 第24-28页 |
1.3.1 TiO_2的表面电位与Zeta电位 | 第24-26页 |
1.3.2 水溶液pH(氢离子)与TiO_2表面电位的关系 | 第26页 |
1.3.3 水溶液中选择性吸附离子对TiO_2表面电位的影响 | 第26-27页 |
1.3.4 TiO_2的表面电位对界面电容的影响 | 第27-28页 |
1.4 电容去离子技术概述 | 第28-31页 |
1.4.1 常用脱盐方法 | 第28-29页 |
1.4.2 电容去离子技术 | 第29-31页 |
1.5 本文的研究目的和意义 | 第31-35页 |
1.5.1 本文的研究目的 | 第31页 |
1.5.2 本文的研究内容 | 第31-35页 |
第二章 电介质极化的理论研究 | 第35-45页 |
2.1 水分子的电介质极化理论 | 第35-37页 |
2.2 多孔结构中水的性质 | 第37-39页 |
2.2.1 影响微孔水结构的因素 | 第37-38页 |
2.2.2 毛细凝聚现象 | 第38页 |
2.2.3 多孔材料中不同组分的折射率 | 第38-39页 |
2.3 折射率与介电常数的理论关联 | 第39-40页 |
2.4 水溶液环境下TiO_2的空间电荷模型 | 第40-43页 |
2.4.1 半导体中的空间电荷 | 第40-41页 |
2.4.2 开路电压与表面电位和空间电荷的关联 | 第41-43页 |
2.5 本章小结 | 第43-45页 |
第三章 溶液理化特性对表面电位和空间电荷的影响机理 | 第45-59页 |
3.1 Zeta电位和开路电压的测量 | 第45-48页 |
3.1.1 实验材料制备 | 第45-47页 |
3.1.2 实验表征及测试方法 | 第47-48页 |
3.2 溶液理化特性对表面电位的影响机理 | 第48-52页 |
3.2.1 pH对Zeta电位的影响 | 第49-50页 |
3.2.2 磷酸根吸附对Zeta电位的影响 | 第50-52页 |
3.3 溶液理化特性对开路电压的影响机理 | 第52-56页 |
3.3.1 pH对开路电压的影响 | 第52-53页 |
3.3.2 磷酸根吸附对开路电压的影响 | 第53-55页 |
3.3.3 pH及磷酸根吸附对零总电荷点处开路电压的影响 | 第55-56页 |
3.4 本章小结 | 第56-59页 |
第四章 表面电位对薄膜微孔水性质的影响机理 | 第59-75页 |
4.1 TiO_2薄膜的表征 | 第59-62页 |
4.1.1 氮吸附 | 第59页 |
4.1.2 TiO_2覆涂硅片制备 | 第59-60页 |
4.1.3 相对湿度控制系统 | 第60-61页 |
4.1.4 TiO_2薄膜折射率测量 | 第61-62页 |
4.2 TiO_2薄膜的物理性质 | 第62-67页 |
4.2.1 TiO_2薄膜的微孔结构 | 第62-63页 |
4.2.2 基板材料对TiO_2薄膜测量的影响 | 第63-64页 |
4.2.3 TiO_2薄膜的均匀性 | 第64-67页 |
4.3 烧结温度对TiO_2薄膜性质的影响机理 | 第67-69页 |
4.3.1 烧结温度对TiO_2薄膜折射率和厚度的影响 | 第67-68页 |
4.3.2 烧结温度对TiO_2薄膜孔隙率的影响 | 第68-69页 |
4.4 表面电位对薄膜微孔水性质的影响机理 | 第69-72页 |
4.4.1 离子强度对微孔水性质的影响 | 第69-70页 |
4.4.2 pH对微孔水性质的影响 | 第70-71页 |
4.4.3 磷酸根吸附对微孔水性质的影响 | 第71-72页 |
4.5 本章小结 | 第72-75页 |
第五章 表面电位对电容的影响机理研究 | 第75-91页 |
5.1 超级电容器电容的测量方法 | 第75页 |
5.2 覆涂TiO_2薄膜对电容提升的影响 | 第75-76页 |
5.3 pH和磷酸根浓度对电容的影响机理 | 第76-78页 |
5.3.1 TiO_2薄膜性质 | 第76-77页 |
5.3.2 pH对电容的影响 | 第77页 |
5.3.3 磷酸根对电容的影响 | 第77-78页 |
5.4 操作参数对电容的影响规律 | 第78-84页 |
5.4.1 电压区间的影响 | 第78-81页 |
5.4.2 开路电压的影响 | 第81-82页 |
5.4.3 充放电电流的影响 | 第82-83页 |
5.4.4 扫描速率对电容的影响 | 第83-84页 |
5.5 循环伏安法对材料表面性质的影响机理 | 第84-88页 |
5.5.1 循环伏安法对赝电容的影响 | 第84-86页 |
5.5.2 循环伏安法对双电层电容的影响 | 第86-88页 |
5.6 本章小结 | 第88-91页 |
第六章 金属氧化物不对称去离子结构的应用 | 第91-99页 |
6.1 去离子性能的表征 | 第91-93页 |
6.1.1 电容去离子结构 | 第91-92页 |
6.1.2 离子浓度表征方法 | 第92-93页 |
6.2 SiO_2~ γ-Al_2O_3不对称电容去离子结构 | 第93-95页 |
6.2.1 SiO_2~ γ-Al_2O_3去离子结构的特征 | 第93-94页 |
6.2.2 SiO_2~ γ-Al_2O_3结构的去离子过程 | 第94-95页 |
6.3 TiO_2 ~ γ-Al_2O_3新型不对称电容去离子结构 | 第95-97页 |
6.4 本章小结 | 第97-99页 |
第七章 结论与展望 | 第99-103页 |
7.1 结论 | 第99-100页 |
7.2 创新点 | 第100-101页 |
7.3 展望 | 第101-103页 |
参考文献 | 第103-119页 |
发表论文和参加科研情况说明 | 第119-121页 |
致谢 | 第121-122页 |