| 摘要 | 第7-9页 |
| abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 光催化技术 | 第12-15页 |
| 1.2.1 光解水制备氢气的基本原理 | 第12-14页 |
| 1.2.2 光催化材料发展历程 | 第14-15页 |
| 1.2.3 光催化剂光解水制氢的评价 | 第15页 |
| 1.3 ZnO的基本性质 | 第15-16页 |
| 1.3.1 ZnO的晶体结构 | 第16页 |
| 1.4 CdS的基本性质 | 第16-18页 |
| 1.4.1 CdS的晶体结构 | 第17页 |
| 1.4.2 CdS的缺点 | 第17-18页 |
| 1.5 ZnO/CdS异质结光催化剂国内外研究现状 | 第18-21页 |
| 1.6 本课题的提出及主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 实验方案设计与研究方法 | 第23-30页 |
| 2.1 原料与设备 | 第23-24页 |
| 2.2 实验步骤 | 第24-27页 |
| 2.2.1 水热法生长ZnO纳米阵列 | 第24-26页 |
| 2.2.2 在ZnO阵列上化学浴沉积CdS | 第26页 |
| 2.2.3 ZnO/CdS纳米阵列CdCl_2退火处理 | 第26-27页 |
| 2.3 测试与表征 | 第27-30页 |
| 第三章 ZnO纳米棒表面化学浴沉积CdS配方的优化 | 第30-37页 |
| 3.1 CdS沉积配方对ZnO/CdS结构与形貌的影响 | 第30-36页 |
| 3.2 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 退火温度对ZnO/CdS纳米阵列光解水性能的影响 | 第37-51页 |
| 4.1 不同退火温度下ZnO/CdS纳米阵列形貌、结构 | 第37-42页 |
| 4.2 不同退火温度下ZnO/CdS纳米阵列的光学性能表征 | 第42-44页 |
| 4.3 不同退火温度下ZnO/CdS纳米阵列的光电催化性能 | 第44-48页 |
| 4.4 ZnO/CdS纳米阵列的半导体特性 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 CdCl_2处理对ZnO/CdS纳米阵列光解水性能的影响 | 第51-64页 |
| 5.1 CdCl_2处理后的ZnO/CdS纳米阵列的成分、形貌结构 | 第52-57页 |
| 5.2 CdCl_2处理后ZnO/CdS纳米阵列的光学性能 | 第57-59页 |
| 5.3 CdCl_2处理后ZnO/CdS纳米阵列的半导体特性 | 第59页 |
| 5.4 CdCl_2处理后ZnO/CdS纳米阵列的光电性能 | 第59-63页 |
| 5.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附录 | 第74页 |
