| 致谢 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第16-17页 |
| 1.2 SiC器件的发展与研究现状 | 第17-19页 |
| 1.3 SiC器件高频化应用问题 | 第19-20页 |
| 1.4 光伏发电系统与直流母线二次波动 | 第20-24页 |
| 2 SiC MOSFET器件特性 | 第24-36页 |
| 2.1 SiC MOSFET器件特性与参数 | 第24-29页 |
| 2.2 双脉冲测试 | 第29-31页 |
| 2.3 实验结果与分析 | 第31-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 3 高频化关键问题与驱动优化 | 第36-50页 |
| 3.1 SiC MOSFET驱动特性分析 | 第36-39页 |
| 3.2 SiC MOSFET驱动设计 | 第39-41页 |
| 3.3 高频化实现的问题 | 第41-44页 |
| 3.4 驱动电路优化与实验 | 第44-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 4 直流母线功率解耦 | 第50-73页 |
| 4.1 直流母线电压波动 | 第50-52页 |
| 4.2 直流母线电压二次波动的危害 | 第52-55页 |
| 4.3 基于无源功率解耦的直流母线电压二次波动抑制 | 第55-58页 |
| 4.4 基于有源功率解耦的直流母线电压二次波动抑制 | 第58-67页 |
| 4.5 仿真研究 | 第67-72页 |
| 4.6 本章小结 | 第72-73页 |
| 5 实验研究与分析 | 第73-82页 |
| 5.1 实验平台结构 | 第73-76页 |
| 5.2 控制器设计 | 第76-77页 |
| 5.3 实验结果分析 | 第77-81页 |
| 5.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 6 总结与展望 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-90页 |
| 作者简历 | 第90-92页 |
| 学位论文数据集 | 第92页 |