摘要 | 第7-9页 |
Abstract | 第9-11页 |
第一章 绪论 | 第12-34页 |
1.1 分子印迹技术基本原理、方法及特点 | 第12-15页 |
1.1.1 分子印迹技术基本原理 | 第12-13页 |
1.1.2 分子印迹技术的方法 | 第13-14页 |
1.1.3 分子印迹技术的特点 | 第14-15页 |
1.2 分子印迹技术的理论研究 | 第15-16页 |
1.2.1 分子印迹技术热力学研究 | 第15页 |
1.2.2 分子印迹技术动力学研究 | 第15-16页 |
1.3 分子印迹聚合膜的特点及分类 | 第16-17页 |
1.3.1 分子印迹聚合膜的特点 | 第16页 |
1.3.2 分子印迹聚合膜的分类 | 第16-17页 |
1.4 分子印迹膜的制备 | 第17-21页 |
1.4.1 原位聚合法 | 第17-18页 |
1.4.2 相转化法 | 第18-19页 |
1.4.3 电化学法 | 第19页 |
1.4.4 表面修饰法 | 第19-21页 |
1.5 分子印迹聚合膜在电化学传感器领域的应用 | 第21-24页 |
1.5.1 分子印迹聚合膜在电位传感器方面的应用 | 第21-22页 |
1.5.2 分子印迹聚合膜在电流传感器方面的应用 | 第22-23页 |
1.5.3 分子印迹聚合膜在电容传感器方面的应用 | 第23页 |
1.5.4 分子印迹聚合膜在电导传感器方面的应用 | 第23-24页 |
1.6 展望 | 第24页 |
1.7 本论文的研究工作 | 第24-26页 |
参考文献 | 第26-34页 |
第二章 一种新型铜离子-席夫碱印迹膜的制备与电化学性质的研究 | 第34-45页 |
2.1 引言 | 第34页 |
2.2 实验部分 | 第34-35页 |
2.2.1 仪器和试剂 | 第34-35页 |
2.2.2 L-半胱氨酸-香草醛席夫碱的合成 | 第35页 |
2.2.3 分子自组装膜的制备 | 第35页 |
2.2.4 电化学检测 | 第35页 |
2.3 结果与讨论 | 第35-42页 |
2.3.1 L-半胱氨酸-香草醛席夫碱的表征 | 第35-36页 |
2.3.2 Cu~(2+)-CVS 配合物实验条件的选择 | 第36-37页 |
2.3.3 印迹自组装膜的研究 | 第37-39页 |
2.3.4 铜离子在印迹自组装电极上的响应 | 第39-41页 |
2.3.5 印迹自组装膜的选择性 | 第41页 |
2.3.6 富集方式对峰电流的影响 | 第41-42页 |
2.3.7 干扰试验 | 第42页 |
2.4 小结 | 第42-43页 |
参考文献 | 第43-45页 |
第三章 水杨酸分子印迹电化学传感器的研制 | 第45-58页 |
3.1 引言 | 第45-46页 |
3.2 实验部分 | 第46页 |
3.2.1 仪器和试剂 | 第46页 |
3.2.2 水杨酸分子印迹膜的制备 | 第46页 |
3.2.3 电化学检测 | 第46页 |
3.3 结果与讨论 | 第46-54页 |
3.3.1 分子印迹膜电聚合 | 第46-47页 |
3.3.2 分子印迹膜的性质 | 第47-49页 |
3.3.3 水杨酸在分子印迹电极上的电化学行为 | 第49-50页 |
3.3.4 分析条件的优化 | 第50-51页 |
3.3.5 分子印迹传感器的亲和性研究 | 第51-52页 |
3.3.6 标准曲线和检测限 | 第52-53页 |
3.3.7 水杨酸分子印迹传感器的选择性 | 第53-54页 |
3.4 小结 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-58页 |
第四章 水杨酸分子印迹聚合物的制备及其吸附特性的研究 | 第58-68页 |
4.1 引言 | 第58-59页 |
4.2 实验部分 | 第59-60页 |
4.2.1 试剂及仪器 | 第59页 |
4.2.2 水杨酸分子印迹聚合物制备 | 第59页 |
4.2.3 吸附实验和 Scatchard 分析 | 第59-60页 |
4.2.4 选择性能的研究 | 第60页 |
4.3 结果与讨论 | 第60-65页 |
4.3.1 水杨酸和对羟基苯甲酸的电化学行为及标准曲线的绘制 | 第60-63页 |
4.3.2 水杨酸分子印迹聚合物对底物的结合能力 | 第63-64页 |
4.3.3 水杨酸分子印迹聚合物的选择性 | 第64-65页 |
4.4 小结 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-68页 |
附录 攻读学位期间已/待发表论文情况 | 第68-69页 |
致谢 | 第69页 |