| 中文摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第13-23页 |
| §1.1 过渡金属硫族化合物概述 | 第13-15页 |
| §1.1.1 半导体材料简介 | 第13页 |
| §1.1.2 过渡金属硫族化合物的结构特点 | 第13-14页 |
| §1.1.3 过渡金属硫族化合物的基本物性 | 第14-15页 |
| §1.2 过渡金属硫族化合物的高压研究 | 第15-19页 |
| §1.2.1 高压下TMDCs的晶体结构 | 第15-17页 |
| §1.2.2 高压下TMDCs的电子结构及其电输运性质 | 第17-19页 |
| §1.3 论文选题目的和意义 | 第19页 |
| §1.4 论文各部分的主要内容 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-23页 |
| 第二章 高压下电输运性质研究的实验方法和理论基础 | 第23-41页 |
| §2.1 高压物理学概述 | 第23-26页 |
| §2.1.1 高压物理的发展历程 | 第23-24页 |
| §2.1.2 高压实验装置 | 第24-26页 |
| §2.2 高压下电学量原位测量技术 | 第26-33页 |
| §2.2.1 高压电学测量技术概述 | 第26-27页 |
| §2.2.2 范德堡法的原理 | 第27-28页 |
| §2.2.3 范德堡电极在金刚石对顶砧上的集成 | 第28-29页 |
| §2.2.4 样品的组装和测量方法 | 第29-32页 |
| §2.2.5 压力的测量方法 | 第32-33页 |
| §2.3 高压同步辐射X射线衍射实验方法 | 第33-34页 |
| §2.4 电子结构模拟的方法 | 第34-36页 |
| §2.4.1 软件介绍 | 第34页 |
| §2.4.2 CASTEP的理论基础 | 第34-36页 |
| §2.4.3 参数设置和计算步骤 | 第36页 |
| 参考文献 | 第36-41页 |
| 第三章 高压下WX_2(X=S,Se)的电学性质及金属化相变研究 | 第41-53页 |
| §3.1 引言 | 第41-42页 |
| §3.2 高压下WX_2(X=S,Se)的电阻率 | 第42-43页 |
| §3.2.1 压力诱导下WSe_2的电阻率 | 第42-43页 |
| §3.2.2 压力诱导下WS_2的电阻率 | 第43页 |
| §3.3 压力温度诱导下WX_2的电阻率 | 第43-47页 |
| §3.3.1 WSe_2电阻率的变温测量结果 | 第44-45页 |
| §3.3.2 WS_2电阻率的变温测量结果 | 第45-47页 |
| §3.4 WSe_2的压制金属化相变 | 第47-50页 |
| §3.4.1 WSe_2常压电子结构 | 第47-49页 |
| §3.4.2 WSe_2高压电子结构 | 第49-50页 |
| §3.4.3 理论模拟和实验测量结果的比较 | 第50页 |
| §3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第四章 高压下MoX_2(X=S,Se)的电学性质及金属化相变研究 | 第53-63页 |
| §4.1 引言 | 第53-54页 |
| §4.2 高压下MoSe_2的金属化相变 | 第54-58页 |
| §4.2.1 压力诱导下MoSe_2的电阻率 | 第54-55页 |
| §4.2.2 MoSe_2的高压XRD测量结果 | 第55页 |
| §4.2.3 MoSe_2电阻率的变温测量结果 | 第55-56页 |
| §4.2.4 MoSe_2的能带结构计算 | 第56-58页 |
| §4.3 MoS_2电输运性质的压力效应 | 第58-59页 |
| §4.4 四种TMDCs化合物的压致金属化比较 | 第59-60页 |
| §4.5 小结 | 第60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 第五章 高压下TiS_2的电子结构及其电输运机制研究 | 第63-75页 |
| §5.1 引言 | 第63页 |
| §5.2 TiS_2样品的表征 | 第63-65页 |
| §5.3 常压下TiS_2的电学性质研究 | 第65-67页 |
| §5.3.1 TiS_2的电子结构 | 第65-66页 |
| §5.3.2 TiS_2的电输运性质测量 | 第66-67页 |
| §5.4 TiS_2电输运性质的压力效应研究 | 第67-72页 |
| §5.4.1 高压下TiS_2的电子结构 | 第67-69页 |
| §5.4.2 高压下TiS_2电阻率的变温测量 | 第69-70页 |
| §5.4.3 高压诱导下TiS_2的电阻率 | 第70-71页 |
| §5.4.4 高压下TiS_2的电输运机制 | 第71-72页 |
| §5.5 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第六章 总结与展望 | 第75-79页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第79-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
